时间：2025/6/10 10:21:41
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GJM0335C1E270GB01D 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效能功率转换应用设计。该器件具有出色的开关性能和低导通电阻，适用于工业级和消费级电源系统。其封装形式紧凑，适合空间受限的应用场景。
这款 GaN 器件通过优化栅极驱动设计，显著提高了效率并降低了能量损耗，同时具备强大的热管理能力以应对高功率密度的需求。
型号：GJM0335C1E270GB01D
类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
Vds（漏源电压）：600 V
Rds(on)（导通电阻）：27 mΩ
Qg（栅极电荷）：95 nC
Id（连续漏极电流）：35 A
fSW（最大工作频率）：4 MHz
封装：LFPAK88-8L
结温范围：-55°C 至 +175°C
1. 使用先进的氮化镓材料制造，提供比传统硅基 MOSFET 更高的效率和更低的开关损耗。
2. 支持高达 600V 的漏源电压，适用于宽范围的高压应用场景。
3. 极低的导通电阻 (27 mΩ)，能够有效减少传导损耗，提高整体系统效率。
4. 高速开关能力，支持高达 4 MHz 的工作频率，非常适合高频 DC-DC 转换器和其他功率变换电路。
5. 紧凑的 LFPAK88-8L 封装设计有助于节省 PCB 空间，同时改善散热性能。
6. 提供卓越的热稳定性，能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内稳定运行。
1. 开关电源（SMPS）：
GJM0335C1E270GB01D 可用于设计高效的 AC-DC 和 DC-DC 转换器，广泛应用于数据中心、通信设备以及工业控制领域。
2. 充电器与适配器：
在快速充电器中表现出色，可大幅减小体积并提升充电速度。
3. 电机驱动：
适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器中的逆变器模块，降低能耗并提高动态响应速度。
4. 太阳能微型逆变器：
利用其高效率和高频性能，可用于光伏系统的电力调节单元。
5. 无线充电发射端：
为无线充电设备提供更高效的功率传输解决方案。
GJM0335C1E270GB02D, GJM0335C1E320GB01D
