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GJM0335C1E1R6CB01J 发布时间 时间:2025/7/9 18:41:06 查看 阅读:8

GJM0335C1E1R6CB01J 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频和高功率应用设计。该器件具有出色的开关性能,适用于电源转换、射频放大器以及高速数据传输等领域。
  其封装形式为紧凑型表面贴装,能够有效降低寄生电感和电阻,从而提高整体效率。该型号属于 GaN Systems 的增强型 GaN 晶体管系列,支持逻辑电平驱动,简化了系统设计。

参数

类型:增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT)
  导通电阻:6 mΩ
  击穿电压:650 V
  最大漏极电流:25 A
  栅极电荷:75 nC
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装:CLCC-8

特性

该器件采用先进的氮化镓技术,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高开关频率能力,适合高频应用,如 DC-DC 转换器和无线充电设备。
  3. 支持逻辑电平直接驱动,无需额外的驱动电路,降低了设计复杂性。
  4. 内置保护功能,例如短路保护和过温保护,增强了系统的可靠性。
  5. 小巧的封装尺寸,便于在空间受限的应用中使用。
  6. 出色的热性能,能够承受高功率密度的工作条件。

应用

GJM0335C1E1R6CB01J 广泛应用于以下领域:
  1. 服务器和通信设备中的高效电源转换。
  2. 新能源汽车中的车载充电器和逆变器。
  3. 快速充电器和适配器,提供更高的功率密度。
  4. 工业电机驱动和可再生能源发电系统。
  5. 高频射频放大器和雷达系统。
  6. 数据中心的高效供电解决方案。

替代型号

GJM0335C1E1R8CB01J
  GSM0335C1E1R6CB01J
  GXM0335C1E1R6CB01J

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GJM0335C1E1R6CB01J参数

  • 制造商Murata
  • 电容1.6 pF
  • 容差0.25 pF
  • 电压额定值25 Volts
  • 温度系数/代码C0G (NP0)
  • 外壳代码 - in0201
  • 外壳代码 - mm0603
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品High Q MLCCs
  • 封装Reel
  • 尺寸0.3 mm W x 0.6 mm L x 0.3 mm H
  • 封装 / 箱体0201 (0603 metric)
  • 系列GJM
  • 工厂包装数量50000
  • 端接类型SMD/SMT