时间：2025/6/21 1:11:30
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GJM0335C1E130GB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的沟槽式技术，能够提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而提高了系统的效率和稳定性。
这款功率MOSFET具有增强型设计（Enhancement Mode），其工作电压范围适合多种工业及消费类电子设备。此外，GJM0335C1E130GB01D封装形式紧凑，有助于减少PCB板空间占用，同时具备出色的散热性能。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压Vds：30V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：148A
导通电阻Rds(on)：0.75mΩ（典型值）
栅极电荷Qg：95nC
总电容Ciss：3600pF
开关频率：支持高达1MHz
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗并提升整体系统效率。
2. 高额定电流能力（Id=148A），使其适用于高功率密度的应用场景。
3. 超低的栅极电荷Qg，可以实现快速开关切换，减少开关损耗。
4. 工作温度范围广，从-55°C到+175°C，适应各种恶劣环境下的使用需求。
5. 封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，并且便于安装和维护。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计，满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电动车辆及工业电机驱动中的逆变桥臂组件。
4. 充电器、适配器以及其他高功率密度电源模块。
5. 太阳能微逆变器和其他新能源相关设备。
6. 各种需要大电流、低损耗的功率管理解决方案中。
GJ0335C1E130GB01D, IRF3710, FDP17N10
