GHDR-30V-S 时间：2025/12/27 15:52:06 阅读：11

GHDR-30V-S是一款由Diodes Incorporated生产的高电压、高效率硅整流二极管，广泛应用于电源转换、AC-DC整流以及各种工业和消费类电子设备中。该器件采用表面贴装的R-6（TO-277）封装形式，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，适用于自动化贴片生产流程。GHDR-30V-S设计用于在高频开关电源环境中提供可靠的整流功能，具备较低的正向压降和快速恢复特性，有助于提升系统整体效率并减少功率损耗。其额定反向重复峰值电压（VRRM）为30V，属于低压大电流肖特基整流二极管范畴，特别适合低压直流输出的开关电源应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。GHDR-30V-S在设计上优化了寄生参数，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的长期运行可靠性。

参数

型号：GHDR-30V-S
　　器件类型：肖特基势垒整流二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IO）：30A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms, 半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：0.57V @ 15A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 30V, 25°C；10mA @ 30V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：R-6（TO-277）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　热阻（RθJA）：约2.5°C/W（依PCB布局而定）
　　焊接温度（峰值）：260°C，10秒

特性

GHDR-30V-S具备优异的电气与热性能表现，其核心优势在于采用了先进的沟道型肖特基势垒技术，有效降低了正向导通压降，从而显著减少了导通损耗，提升了电源系统的转换效率。该器件在15A电流下的典型正向压降仅为0.57V，在大电流工况下仍能保持较低的温升，有利于提高系统功率密度。其快速恢复特性意味着几乎没有反向恢复电荷（Qrr接近于零），这使其非常适合用于高频开关电源拓扑结构，如同步整流、DC-DC变换器和二次侧整流电路中，可大幅降低开关噪声和电磁干扰（EMI）。
　　该二极管的R-6封装具有优良的散热能力，三个引脚设计不仅增强了机械稳定性，还提供了良好的电流承载能力和热传导路径，使器件在持续高负载条件下也能维持可靠运行。封装材料采用模塑环氧树脂，具备高绝缘强度和抗湿性，符合IEC 61249-2-21标准中的无卤要求，提升了产品在严苛环境下的耐久性。此外，GHDR-30V-S经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）、温度循环和高加速应力试验（HAST），确保其在工业级宽温范围内长期稳定工作。
　　器件的低寄生电感和电容设计有助于抑制高频振荡，改善动态响应性能。其对称的引脚布局便于PCB布线，支持并联使用以实现更高电流输出。由于其出色的热管理和电气性能平衡，GHDR-30V-S常被用于服务器电源、通信设备电源模块、笔记本适配器、LED驱动电源及光伏逆变器等对效率和可靠性要求较高的应用场景。同时，该器件兼容自动化贴片工艺，适合大规模回流焊生产，有助于降低制造成本。

应用

GHDR-30V-S主要用于需要高效低压整流的电源系统中，典型应用包括开关模式电源（SMPS）的次级整流、DC-DC降压或升压转换器中的同步整流替代方案、隔离式电源的输出整流级、不间断电源（UPS）、电池充电管理系统、电信整流模块以及工业控制电源单元。其低正向压降特性特别适用于输出电压较低（如5V、3.3V、1.8V）但电流需求较大的场合，能够显著减少功率损耗，提高能效等级。此外，该器件也常见于LED照明驱动电源、家用电器电源板、网络设备供电模块以及便携式电子设备的外接适配器中。由于其表面贴装封装形式，GHDR-30V-S非常适合空间受限且追求高功率密度的设计，例如超薄显示器、小型化电源适配器和嵌入式计算平台。在新能源领域，该二极管还可用于太阳能微逆变器或储能系统的辅助电源部分，发挥其高可靠性和长寿命的优势。