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GHDR-30V-S(F) 发布时间 时间:2025/12/27 17:01:19 查看 阅读:15

GHDR-30V-S(F)是一款由Global Mixed-mode Technology Inc.(GMT)推出的高精度、低功耗霍尔效应开关传感器,广泛应用于需要非接触式位置检测和速度测量的电子系统中。该器件基于先进的CMOS霍尔技术制造,具备高度集成的设计,内部集成了霍尔感应元件、信号放大器、施密特触发整形电路以及开漏输出驱动器,能够在复杂电磁环境中稳定工作。GHDR-30V-S(F)专为工业自动化、消费电子、家用电器和汽车电子等领域的开关检测需求而设计,具有出色的温度稳定性和抗机械振动能力。其封装形式通常为SOT-23或类似的微型贴片封装,便于在空间受限的应用中进行PCB布局。该芯片对磁场方向敏感,当南磁极接近感应面时,器件导通输出低电平;当磁场减弱至释放点以下时,器件关断并输出高电平(需外部上拉电阻)。得益于其低工作电压范围和微安级静态电流,GHDR-30V-S(F)特别适合电池供电设备中的节能应用。此外,该型号内置反向电压保护和输出短路保护功能,增强了系统的可靠性和耐用性,在长期运行中表现出优异的稳定性与一致性。

参数

工作电压:2.5V ~ 5.5V
  输出类型:开漏输出
  输出电流:最大30mA
  工作电流:典型值4.5mA(3.3V供电)
  响应频率:最高可达10kHz
  磁感应强度动作点(Bop):典型值35Gauss
  磁感应强度释放点(Brp):典型值25Gauss
  磁滞宽度(Bhys):典型值10Gauss
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:SOT-23

特性

GHDR-30V-S(F)采用先进的CMOS工艺与霍尔效应传感技术相结合,确保了在宽电压范围内仍能保持高灵敏度和精确的磁阈值控制。其内部集成了高增益霍尔电压放大器,能够有效放大微弱的霍尔信号,并通过精密的斩波稳定(Chopper Stabilization)技术消除偏移电压和温漂影响,从而显著提升传感器的长期稳定性和温度适应性。该技术还能有效抑制外界噪声干扰,使器件在恶劣电磁环境下依然保持可靠的动作判断。施密特触发器的设计引入了适当的磁滞特性,防止在临界磁场强度附近出现输出抖动现象,确保每一次开关动作都干净利落,适用于高速旋转编码、转速检测和位置识别等动态应用场景。
  该传感器的开漏输出结构使其兼容多种逻辑电平系统,只需外接一个上拉电阻即可适配不同的MCU输入电压要求,极大提高了电路设计的灵活性。同时,低至4.5mA的工作电流和快速响应能力使其非常适合用于便携式设备和无线传感节点中,有助于延长电池使用寿命。器件还具备良好的ESD防护能力(HBM模型可达±2kV),并内置反向电源连接保护机制,避免因安装错误导致芯片损坏。其SOT-23小型化封装不仅节省PCB空间,还支持自动贴片生产,有利于提高制造效率和产品一致性。整体而言,GHDR-30V-S(F)在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡,是现代智能感知系统中理想的磁感应解决方案之一。

应用

GHDR-30V-S(F)广泛应用于各类需要非接触式位置或运动检测的场合。在消费类电子产品中,常用于笔记本电脑、平板设备的盖子开合检测(即休眠/唤醒功能),以及智能手机翻盖配件的状态识别。在家电领域,可用于洗衣机门锁检测、微波炉安全联锁开关、智能马桶盖位置感应等安全控制场景。工业控制系统中,该器件被集成于接近开关、液位计、流量计和旋转编码器中,实现对阀门状态、活塞行程或电机转速的精准监测。
  在电动工具和电动自行车中,GHDR-30V-S(F)可用于无刷直流电机的换相控制,通过检测转子位置来精确触发驱动信号,提升能效和运行平稳性。此外,在汽车电子系统中,它也可用于车窗升降器防夹检测、座椅位置记忆、变速箱档位识别等辅助功能模块。由于其高可靠性和耐环境能力,该传感器还可部署于户外设备如智能水表、气表的脉冲计数单元中,实现长期免维护运行。总之,凡是有磁场变化可利用的机械运动检测需求,GHDR-30V-S(F)都能提供稳定、高效的传感支持。

替代型号

SS41F
  AH3144E
  Melexis US5881LUA-A

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GHDR-30V-S(F)参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GHD
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 连接器类型插座
  • 触头类型-
  • 针位数30
  • 间距0.049"(1.25mm)
  • 排数2
  • 排距-
  • 安装类型自由悬挂
  • 触头端接压接
  • 紧固类型销锁
  • 颜色-
  • 特性-
  • 工作温度-25°C ~ 85°C