时间：2025/12/27 15:22:09
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GHDR-20V-S是一款由Global Mixed-mode Technology Inc.（GMT）生产的高耐压、高速、低电容的双向瞬态电压抑制二极管阵列，专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应等瞬态过电压事件的影响而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备优异的响应速度和钳位能力，能够在纳秒级时间内将瞬态高压引导至地，从而有效保护下游电路。GHDR-20V-S广泛应用于通信接口、消费类电子产品和工业控制设备中，尤其适用于对信号完整性要求较高的高速数据线路保护。其封装形式为SOD-882，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能和可靠性。
工作电压：20V
反向关断电压：20V
击穿电压：22.3V
最大峰值脉冲电流：15A
钳位电压：35V
漏电流：0.1uA
电容值：1.5pF
功率：300W
封装：SOD-882
GHDR-20V-S的核心特性在于其卓越的瞬态抑制能力和极低的寄生电容，使其非常适合用于高速信号线路的ESD防护。该器件在正常工作状态下呈现高阻抗状态，漏电流极低，仅为0.1μA，确保不会对系统功耗和信号传输造成影响。一旦检测到超过击穿电压（典型值为22.3V）的瞬态电压，器件会迅速进入低阻抗导通状态，在极短时间内将浪涌电流泄放到地，同时将电压钳制在安全水平（最大35V），从而防止后级IC因过压而损坏。
其双向导通结构允许器件在正负两个方向上均能有效抑制瞬态电压，适用于交流或双向信号线路的保护场景。此外，GHDR-20V-S具有高达300W的峰值脉冲功率承受能力，符合IEC61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电、±15kV空气放电）等国际ESD标准，确保在严苛电磁环境中仍能提供可靠防护。
器件的寄生电容仅为1.5pF，远低于传统TVS二极管，因此在USB 2.0、HDMI、RS-485、CAN总线等高速数据接口应用中，能够最大限度减少信号衰减和失真，保持信号完整性。SOD-882小型化封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升制造效率。整体而言，GHDR-20V-S结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代电子系统中理想的ESD保护解决方案。
GHDR-20V-S常用于各类需要高等级静电防护的电子接口电路中。典型应用包括USB端口保护，特别是USB 2.0高速数据线（D+和D-），可防止用户插拔过程中产生的静电损坏主控芯片；HDMI和DisplayPort等视频接口的ESD防护，保障高清信号传输稳定性；工业通信总线如RS-485、CAN、I2C、SPI等差分或单端信号线的浪涌保护，提升系统在恶劣工业环境下的抗干扰能力；便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的按键、耳机插孔、触摸屏控制器等易受人体静电影响的节点；此外，还可用于传感器接口、音频线路、GPIO引脚以及其他任何对瞬态电压敏感的模拟或数字信号通道。由于其小型封装和高效性能，也适用于空间受限的可穿戴设备和物联网终端产品。
SM712-02MTD
SRV05-4
