类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：160V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：35A
　　导通电阻(Rds(on))：8mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：120W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-263 / DFN

GH16P35A8C具有以下主要特性：
　　1. **低导通电阻（Rds(on)）**：在Vgs=10V条件下，Rds(on)仅为8mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　2. **高耐压能力**：漏源击穿电压高达160V，能够适应较高的电压应力，适用于多种高压应用环境。
　　3. **高电流承载能力**：连续漏极电流可达35A，适合大功率负载的控制和驱动。
　　4. **良好的热稳定性**：采用高导热封装设计，具备较强的散热能力，适用于高功率密度设计。
　　5. **可靠性高**：通过AEC-Q101车规级认证，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
　　6. **封装多样化**：提供TO-263、DFN等多种封装形式，满足不同PCB布局和装配工艺的需求。
　　7. **栅极保护设计**：栅极氧化层厚度优化，具备良好的抗静电能力和抗过压能力，提升器件的使用寿命。

GH16P35A8C 主要应用于以下场景：
　　1. **电源管理模块**：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提升电源转换效率并减小系统体积。
　　2. **电机驱动系统**：适用于无刷电机、步进电机等驱动电路，提供高效率和稳定性的功率控制。
　　3. **电池管理系统（BMS）**：用于电动工具、储能系统、电动车等，作为高边或低边开关控制元件。
　　4. **工业控制设备**：如PLC、伺服驱动器、工业电源等，提供稳定的功率开关性能。
　　5. **汽车电子**：如车载充电器、电机控制模块、车身控制模块等，适用于车载环境下的高可靠性需求。
　　6. **消费类电子产品**：如大功率充电器、便携式设备电源管理单元等，实现高效能和小型化设计。

SiHF16N80C、STF16N80M、FQA16N80C、IRF16N80C