GH05035A2G 时间：2025/8/27 21:13:56 阅读：9

GH05035A2G是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为需要高效能和高可靠性的电源管理应用设计，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各类工业控制设备中。GH05035A2G采用小型表面贴装封装，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高温环境下稳定运行。

参数

类型：MOSFET（N沟道增强型）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：5.6A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

GH05035A2G的主要特性包括低导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其35mΩ的Rds(on)在同类器件中表现优异，适合用于高频开关应用。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和过载能力，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于PCB布局，而且支持表面贴装工艺，提高了生产效率。
　　器件的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间正常工作，使得其适用于多种栅极驱动电路设计。GH05035A2G还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供额外的保护，增强系统的稳定性与安全性。
　　由于其优良的电气特性和封装设计，GH05035A2G广泛应用于电源管理和负载控制领域，特别是在需要高效能和小尺寸解决方案的场合。