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GG1171W-10-TR 发布时间 时间:2025/8/13 14:04:42 查看 阅读:16

GG1171W-10-TR是一款高性能的射频(RF)开关集成电路,广泛应用于通信系统、无线基础设施、测试设备和工业控制等领域。该器件采用先进的硅工艺制造,具备高可靠性、低插入损耗和高隔离度等优点。其封装形式为TSSOP,适合表面贴装工艺,适用于紧凑型电路设计。

参数

类型:射频开关
  工作频率:DC至4GHz
  插入损耗:典型值0.3dB(频率范围内)
  隔离度:典型值35dB
  VSWR:1.2:1
  控制电压:1.8V至5V
  封装类型:TSSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  电源电压:5V(典型值)
  功耗:低功耗设计,典型值小于10mA

特性

GG1171W-10-TR射频开关具有出色的电气性能和稳定性,适用于多种高频应用场景。其低插入损耗确保信号在传输过程中损耗最小,从而提高了系统效率和信号质量。高隔离度特性有效防止了信号路径之间的干扰,确保信号切换的准确性。
  此外,该芯片支持宽范围的控制电压,兼容多种控制电路设计,便于集成到不同的系统中。其高VSWR性能意味着在广泛的频率范围内能够保持良好的阻抗匹配,减少信号反射,提高系统的可靠性。
  该器件的工作频率覆盖DC至4GHz,适用于多种无线通信标准,包括但不限于GSM、WCDMA、LTE和Wi-Fi。其紧凑的TSSOP封装设计,使得在PCB布局中占用空间小,同时支持表面贴装技术,便于自动化生产。
  GG1171W-10-TR的宽工作温度范围(-40°C至+85°C)确保其在恶劣环境条件下仍能稳定工作,适用于工业级和商业级应用。

应用

GG1171W-10-TR广泛应用于无线基站、射频测试设备、工业自动化控制系统、消费类电子产品以及汽车电子系统中。在无线通信领域,该芯片可用于天线切换、信号路由和多路复用等功能。在测试设备中,其高可靠性和稳定性使其成为理想的射频信号切换解决方案。此外,该器件也适用于需要高频信号处理的工业和消费类电子产品中,如无线接入点、射频识别(RFID)设备等。

替代型号

PE42642-10-TR, HMC649ALC4B, ADG904BRUZ

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