类型：IGBT
　　额定集电极电流(Ic)：90A
　　额定集射电压(Vce)：1200V
　　最大工作温度：150℃
　　导通压降(Vce_sat)：约2.1V（典型值）
　　短路耐受能力：有
　　封装形式：TO-247（可能为单管）或PIM（功率集成模块）形式
　　栅极驱动电压：+15V/-15V或+15V/0V（依据具体驱动方式）
　　热阻：约0.35℃/W（结到壳）

GFT90B12 采用了先进的沟槽栅（Trench）结构和场截止（Field Stop）技术，具有较低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体效率和热稳定性。该器件具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的过载电流，增强了系统的可靠性和安全性。此外，GFT90B12 的栅极设计优化，使其在高频工作下仍能保持稳定的性能，适用于高频开关应用。其封装形式也经过优化，具有良好的散热性能和机械强度，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。
　　GFT90B12 的另一个重要特性是其具备较低的电磁干扰（EMI），这对于要求电磁兼容性（EMC）较高的设备来说至关重要。此外，该器件的生产符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子设备的制造需求。

GFT90B12 广泛应用于各种工业和消费类电力电子设备中。常见的应用包括交流变频器、伺服驱动器、电焊机、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、感应加热设备以及电动汽车充电系统等。由于其具备较高的功率密度和良好的可靠性，GFT90B12 也常被用于需要长时间连续运行的工业自动化控制系统中。

FGA90N120D，FGA90N120D，FF90R12KS4P5，FF90R12KE4