时间：2025/5/19 11:51:33
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GET40EFSB22GVE是一款高压MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件采用TO-247封装形式，具有出色的开关特性和低导通电阻，广泛用于工业、汽车和消费电子领域中的电源管理电路。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：40A
栅极电荷：85nC
导通电阻：0.15Ω
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-247
GET40EFSB22GVE具有高耐压能力，能够承受高达1200V的漏源电压，适用于高压环境下的开关操作。
其低导通电阻设计有助于降低功耗，提高整体系统效率。
具备快速开关速度，适合高频应用，并且栅极电荷较低，可以减少驱动损耗。
采用了坚固耐用的TO-247封装，确保良好的散热性能和机械稳定性。
此外，该器件的工作温度范围宽广，适应各种极端环境条件。
GET40EFSB22GVE主要应用于高功率转换器、逆变器以及电机驱动等场景。
它在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动车充电器中表现优异。
同时，这款MOSFET也常用于工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高压和大电流承载能力，还可用于焊接设备、感应加热装置以及其他需要高效功率管理的场合。
GET40EFSB22GVD
IRGB4062DPBF
FDMQ4002
IXYS40N120T2
