型号：GEM750-28G
　　技术类型：氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）
　　封装类型：陶瓷气密封装（典型）
　　工作频率范围：DC至28 GHz
　　输出功率：典型750 W（峰值脉冲）
　　漏极电压（Vds）：典型28 V
　　增益：典型14 dB @ 28 GHz
　　功率附加效率（PAE）：典型超过60% @ 28 GHz
　　输入/输出阻抗：匹配至50 Ω系统
　　工作温度范围：-55°C 至 +225°C（结温）
　　通道数量：单通道
　　栅极宽度：约750 mm（总）

GEM750-28G作为一款基于氮化镓技术的射频功率晶体管，具备多项显著的技术优势。其核心特性之一是采用了GaN-on-SiC材料体系，这使得器件不仅具有出色的高频响应能力，还能在高温环境下保持稳定的工作性能。碳化硅衬底提供了优异的导热性能，有效降低了结温上升速率，从而提高了器件的可靠性和寿命。同时，氮化镓材料本身具备高击穿电场强度和高电子饱和速度，使其能够在高电压和高频率条件下实现高效的功率转换。
　　该器件支持从直流到28 GHz的宽频带操作，特别适用于X波段和Ku波段的雷达与通信系统。在28 GHz频率下仍能提供高达750 W的脉冲输出功率，并保持超过60%的功率附加效率（PAE），这对于提升系统整体能效、降低散热需求至关重要。此外，其典型增益达到14 dB，有助于减少前级驱动级的设计复杂度，简化整个放大链路架构。
　　GEM750-28G具备良好的线性度和互调失真性能，适合用于需要高信号保真度的应用场景，如多载波通信和宽带信号放大。器件内部通常集成了输入和输出匹配网络，优化了与标准50欧姆系统的接口兼容性，减少了外部匹配元件的需求，提升了设计灵活性和生产一致性。其陶瓷气密封装结构增强了防潮、抗氧化和抗电磁干扰能力，适用于严苛的军用和航天环境。
　　该器件还具备出色的瞬态响应能力和抗负载失配能力，在驻波比（VSWR）变化较大的情况下仍能维持安全运行，内置保护机制可防止因过热或过压导致的损坏。这些特性使其成为现代高功率射频放大器的理想选择，尤其在需要小型化、轻量化和高效能兼顾的系统中表现出色。

GEM750-28G主要用于高性能射频和微波功率放大系统，典型应用包括X波段和Ku波段相控阵雷达系统、地面与机载通信平台、卫星通信地球站、电子对抗设备（ECM）、高分辨率成像雷达以及测试测量仪器中的宽带功率放大模块。其高效率和高功率密度特性也使其适用于下一代5G毫米波回传基站及点对点无线骨干网设备中的高线性功率放大器设计。此外，在科研领域的粒子加速器和等离子体加热系统中也有潜在应用价值。由于其具备军用级可靠性，常用于航空航天和国防工业的关键子系统中。

QPD1025
　　CGH40075F
　　AMMC-6130