GEM318P 是一款由 GEM Semiconductor(Gem Semiconductor)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高频率和高功率密度的电源应用,具有低导通电阻(Rds(on))和良好的热稳定性,适用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动电路以及各类功率开关应用。GEM318P 采用 TO-220 封装,具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(Id):18A
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):60mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):94W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-220
GEM318P 具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其低导通电阻(60mΩ)使得在高电流工作条件下,导通损耗显著降低,从而提高了整体系统的效率。这对于高功率密度电源设计尤为重要。
其次,该器件的最大漏极电流可达 18A,支持在中高功率应用中稳定运行。其漏源耐压为 60V,适用于常见的低压功率转换电路,如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关等。
GEM318P 的栅极驱动电压范围较宽,最高可承受 ±20V 的栅源电压,确保在各种驱动电路中的稳定性。其在 10V 栅极驱动电压下的导通电阻仅为 60mΩ,这进一步降低了导通损耗,提高了能效。
此外,该 MOSFET 采用 TO-220 封装,具有良好的热传导性能,便于通过散热片进行散热管理,确保在高功率工作条件下的稳定性。TO-220 封装也广泛应用于工业和消费类电子产品中,具备良好的兼容性和安装便利性。
GEM318P 还具备较高的可靠性和较长的使用寿命,能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定工作,适合用于工业控制、电源模块、LED 驱动、电池管理系统等各类应用场景。
GEM318P 广泛应用于各类电源管理系统中,尤其适合中高功率的 DC-DC 转换器和同步整流电路。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效电源模块的理想选择。
在电机控制和驱动电路中,GEM318P 可作为功率开关使用,支持快速开关操作,提高系统的响应速度和能效。它也适用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路,确保电池组的安全运行。
此外,该器件还可用于 LED 驱动电源、负载开关、逆变器、UPS(不间断电源)以及各类工业自动化控制设备中。由于其良好的散热性能和稳定的电气特性,GEM318P 在电源管理和功率控制领域具有广泛的应用前景。
IRFZ44N, FDP6030L, FQA18N60C, STP18NF60