类型：增强型HEMT场效应晶体管
　　频率范围：DC至18 GHz
　　工作电压：+3.3 V至+15 V（典型+5 V）
　　静态漏极电流（Ids）：200 mA（典型值）
　　跨导（Gm）：500 mS（典型值）
　　噪声系数（NF）：0.5 dB @ 4 GHz
　　增益：>20 dB @ 4 GHz
　　封装形式：SOT-89
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

GE4407 采用先进的砷化镓（GaAs）高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，具有出色的射频性能。其增强型结构允许在较低的栅极电压下工作，从而简化了偏置电路的设计。该器件在4 GHz附近表现出极低的噪声系数（通常低于0.5 dB），同时在宽频率范围内保持高增益，适用于前端低噪声放大器（LNA）应用。
　　此外，GE4407 具有良好的线性度和稳定性，在高功率输入条件下仍能维持较低的失真水平，适用于高精度信号处理系统。该晶体管的SOT-89封装形式便于表面贴装，适合在紧凑型高频电路中使用。其宽广的工作温度范围确保在各种环境条件下都能稳定运行，适用于工业级和军事级应用。
　　GE4407 的另一个显著优势是其高输入阻抗和低输出阻抗，这使得它在射频放大器和混频器等电路中具有良好的匹配性能。同时，由于其高增益和低噪声特性，GE4407 常用于构建多级放大链中的第一级，以提高整个系统的信噪比。

GE4407 被广泛应用于需要高频率、低噪声和高线性度的射频电路中。典型应用包括无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）、微波接收机前端、测试与测量设备中的信号放大器、雷达系统中的射频前端模块，以及宽带放大器设计。此外，它也适用于卫星通信、VSAT（甚小口径终端）、WLAN和WiMAX等高频通信系统中，作为关键的信号放大元件。

NE3210S0101、ATF-54143、BGA2807、NE3210M01