制造商：Intel
　　系列：StrataFlash
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：256 Mbit
　　存储结构：32M x 8 / 16M x 16
　　接口类型：并行 - 8/16位
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　读取时间：70ns / 90ns / 120ns（根据不同速度等级）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：TSOP-56
　　工艺技术：StrataFlash 堆叠栅极浮栅技术
　　写保护功能：支持硬件写保护
　　擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
　　编程方式：字/字节编程
　　可靠性：典型数据保持时间 > 100年，擦写次数 > 100,000 次

GE28F320W18BD采用Intel专有的StrataFlash技术，这是一种基于传统浮栅晶体管结构但经过优化的多层编程技术，允许每个存储单元存储超过一位的数据，从而实现比传统NOR Flash更高的存储密度。这种架构在保持NOR Flash快速随机访问和可靠执行代码优势的同时，显著降低了每比特成本，使其成为大容量嵌入式代码存储的理想选择。该芯片支持两种操作模式：读取模式和命令模式，通过向特定地址写入命令序列来实现对芯片的配置、编程和擦除操作。其内置的状态机可监控编程和擦除操作的完成情况，并提供状态轮询机制以供主机系统查询进度。
　　该器件具有高度灵活性，支持异步读取操作，访问时间低至70纳秒，能够满足高性能微处理器直接从闪存中执行程序代码的需求。此外，它提供了多种硬件和软件保护机制，防止因意外写入或误操作导致关键代码损坏。例如，WP#引脚可用于硬件写保护，而Vpp引脚则可用于增强写保护功能。芯片内部划分为多个可独立擦除的扇区和块，支持细粒度管理，便于实现现场固件更新和数据分区存储。
　　为了提高系统可靠性，GE28F320W18BD还具备较强的抗干扰能力和环境适应性，可在工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）内稳定运行。其封装形式为56引脚TSOP，便于表面贴装，适用于高密度PCB布局。尽管该芯片不支持DDR等高速接口，但其稳定的并行接口协议与广泛的处理器兼容，尤其适合与ARM、PowerPC、MIPS等架构的嵌入式处理器配合使用。此外，Intel为其提供了完整的开发工具链和技术文档支持，便于开发者进行驱动开发和系统集成。

GE28F320W18BD主要用于需要大容量、高可靠性非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络路由器、交换机和基站控制器等通信设备，其中用于存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置文件。由于其支持eXecute-In-Place（XIP）功能，处理器可以直接从该NOR Flash中读取并执行指令，无需将代码复制到RAM，从而节省内存资源并加快启动速度。该特性也使其广泛应用于工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中。
　　在医疗设备领域，该芯片可用于存储固件和校准数据，确保设备在断电后仍能保留关键信息，并在重启后恢复正常运行。同样，在航空航天和军事电子系统中，其高可靠性和宽温工作能力使其成为理想的代码存储介质。此外，该芯片还可用于打印机、POS机、智能电表等消费类和工业类电子产品中，作为主程序存储器或数据记录单元。由于其较长的产品生命周期和稳定的供货记录，许多长期运行的工业项目仍然依赖此类器件进行设计和维护。然而，随着市场向SPI NOR Flash和eMMC等更现代的存储方案迁移，新设计中已较少采用此类并行接口的大容量NOR Flash，但在系统维护和备件替换中仍有重要地位。

MT28EW32ADA-ABC:D
　　S29GL032MDS03FBV010
　　S29GL032NDS03FBV010
　　IS25LP320D-JBLE