型号：GE28F160C3TC70
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：256K x 8 / 128K x 16
　　工艺技术：ETOX（EPROM Tunnel Oxide）
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　读取访问时间：70 ns
　　封装类型：48-pin TSOP II
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　可靠性数据：典型数据保持时间 > 100 年，擦写寿命约 100,000 次

GE28F160C3TC70 具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域中表现出色。首先，它采用了Intel独有的StrataFlash技术，支持多层存储单元管理，在保证高密度的同时维持了NOR Flash典型的快速随机访问能力。该芯片支持字节和字模式两种操作方式，允许系统灵活地进行8位或16位数据总线配置，提升了与不同处理器架构的兼容性。其次，内置的命令寄存器接口简化了对芯片的控制操作，用户可以通过发送特定的地址/数据序列来执行读取、编程、擦除、挂起等操作，这种命令集驱动的设计提高了软件控制的灵活性。
　　该器件还具备块擦除架构，将整个存储阵列划分为多个可独立擦除的区块，包括多个较小的参数块和较大的主数据块，这种结构特别适用于需要频繁更新小量数据（如配置信息）同时保护大部分固件不被误修改的场景。此外，芯片集成了硬件写保护机制，通过Vpp引脚或特定控制信号防止意外写入或擦除，增强了系统的数据安全性。
　　在性能方面，70ns的快速读取访问时间确保了指令的高速执行，尤其适合XIP（eXecute In Place）应用，即处理器直接从Flash中运行代码而无需加载到RAM，这在实时操作系统和启动引导程序中极为重要。芯片内部集成电荷泵电路，可在正常供电下完成编程和擦除所需的高压生成，无需外部高压电源，从而简化了系统设计并降低了整体成本。最后，该器件符合工业标准的JEDEC TSOP II封装规范，具备良好的热稳定性和机械可靠性，适合自动化贴片生产，并能在较宽的环境条件下稳定运行。

GE28F160C3TC70 主要应用于对数据可靠性和访问速度要求较高的嵌入式系统中。一个典型应用场景是作为嵌入式设备的固件存储器，例如网络路由器、交换机、防火墙等通信设备中用于存放Bootloader、操作系统映像和配置文件。由于其支持XIP（就地执行）功能，处理器可以直接从该Flash芯片中读取并执行代码，减少了对外部RAM的依赖，从而优化了系统启动时间和资源占用。
　　在工业控制系统中，该芯片常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程终端单元（RTU），用于存储控制程序和工艺参数，其高耐久性和长期数据保持能力确保了关键信息不会因频繁更新或长时间断电而丢失。此外，在消费类电子产品如打印机、机顶盒、POS终端中，GE28F160C3TC70 也被广泛用于存放设备驱动程序和用户界面数据。
　　汽车电子领域也曾使用此类器件作为车载信息娱乐系统或ECU（电子控制单元）中的辅助存储器，尤其是在早期车型中用于存储标定数据或诊断代码。虽然当前主流已转向更高密度和更低功耗的新型闪存，但在设备维修、备件替换和系统升级过程中，了解该芯片的应用特性仍然具有实际意义。此外，由于其标准化接口和成熟的技术生态，GE28F160C3TC70 还常被用作开发板和原型验证平台中的非易失性存储解决方案，帮助工程师进行固件调试和功能测试。

MT28F160S3C-7,TI-NL