制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash
　　存储容量：8 Mbit (1 MB)
　　存储结构：按字节组织
　　工作电压：5V ± 10%
　　接口类型：并行异步接口
　　访问时间：90ns
　　封装形式：48-pin TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除 / 整片擦除
　　写保护功能：硬件 WP 引脚支持
　　总线宽度：8位
　　待机电流：典型值 200 μA
　　读取电流：典型值 20 mA
　　编程/擦除电流：典型值 25 mA

GE28F008B3BA90 采用 Intel 的专有 StrataFlash 技术，这项技术结合了 NOR Flash 的快速随机访问能力和 MLC（多级单元）技术的高存储密度优势，使其在保持高性能的同时实现了更高的性价比。该芯片能够在每个存储单元中存储多个比特的信息，通过精确控制浮栅晶体管中的电荷量来实现不同逻辑状态的表示，从而在相同硅片面积上提供比传统单级单元（SLC）闪存更大的有效容量。这种设计特别适用于对成本敏感但又需要一定性能表现的嵌入式应用。
　　该器件具备出色的耐久性和数据保持能力，典型情况下可支持至少 100,000 次的编程/擦除周期，确保长期使用的可靠性。数据保存时间在正常工作条件下可达 10 年以上，即使在极端温度环境下也能维持较长时间的数据完整性。此外，芯片内部集成了高效的错误管理机制和写入验证功能，能够在执行编程或擦除操作后自动校验结果，并通过状态寄存器向主机反馈操作是否成功，极大简化了外部控制器的软件设计复杂度。
　　为了增强系统的安全性与稳定性，GE28F008B3BA90 支持硬件写保护功能，通过 WP# 引脚可防止意外写入或擦除操作，尤其适用于固件保护场景。同时，它还具备低功耗管理模式，在待机状态下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的工作时间。其 90ns 的快速访问时间使得 CPU 可以直接从该 Flash 中执行代码（XIP, eXecute In Place），避免了将程序加载到 RAM 的步骤，提升了启动速度和系统响应能力。
　　该芯片的并行接口设计兼容工业标准的 SRAM 时序，允许无缝替换静态 RAM 或其他并行 Flash 器件，降低了系统升级的难度。所有命令均通过标准写操作发送至特定地址，使用通用的命令集进行识别和执行，例如读取阵列、编程、扇区擦除、挂起操作等，提高了开发的灵活性和兼容性。

GE28F008B3BA90 主要用于各种需要可靠、非易失性程序存储的嵌入式系统中。在通信领域，常被用作路由器、交换机和调制解调器中的固件存储器，用于存放启动代码（Bootloader）、操作系统映像以及配置参数，其快速读取能力保证了设备能够迅速完成上电自检和初始化过程。在工业控制系统中，该芯片可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程 I/O 模块中，存储控制逻辑程序和关键工艺参数，其宽温工作范围和高抗干扰能力确保在恶劣工厂环境中稳定运行。
　　在网络设备中，GE28F008B3BA90 被广泛应用于防火墙、网关和无线接入点等产品，作为 BIOS 或固件的载体，支持远程更新和安全写保护机制，保障网络安全性和数据完整性。在消费类电子产品方面，如机顶盒、打印机、数码相机和家用电器中，该芯片用于存储用户界面代码、设备驱动程序和出厂设置，其低成本和高集成度有助于控制整机物料开支。
　　此外，在汽车电子模块中，尽管当前主流趋势已转向更高密度或更先进工艺的器件，但在一些老式车型或辅助控制单元（如车身控制模块 BCM、空调控制器）中仍可见到该型号的应用。它也常见于测试测量仪器、医疗设备和航空电子设备中，用于保存校准数据、诊断程序和操作日志。由于支持 XIP（就地执行）模式，CPU 可直接从 Flash 中读取指令运行，无需先复制到 RAM，从而节省内存资源并加快启动速度，这一特性使其在资源受限的嵌入式平台上尤为受欢迎。

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