GDZT2R6.8 时间：2025/12/25 12:45:09 阅读：18

GDZT2R6.8是一种齐纳二极管（Zener Diode），属于稳压二极管的一种，主要用于电压参考、电压钳位以及低功率稳压电路中。该型号中的“2R6.8”表示其标称齐纳电压为6.8V，“2”可能代表特定的封装或系列标识，而“R”在部分厂商的命名规则中代表电阻温度系数优化或特定精度等级。GDZT系列通常由国内厂商生产，具有成本低、性能稳定的特点，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等对成本敏感且需要精确电压基准的场合。该器件工作于反向击穿区，在达到其额定齐纳电压时能够维持一个相对稳定的电压，即使电流在一定范围内变化也能保持输出电压基本不变，从而实现稳压功能。其结构基于PN结的反向击穿特性设计，采用掺杂浓度较高的工艺以获得较陡峭的击穿曲线，确保良好的动态阻抗和温度稳定性。

参数

类型：齐纳二极管
　　极性：单向
　　标称齐纳电压：6.8V
　　测试电流：5mA
　　最大齐纳阻抗：10Ω
　　最大耗散功率：500mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOD-323
　　击穿电压容差：±5%

特性

GDZT2R6.8齐纳二极管具备优异的电压稳定性和较低的动态阻抗，使其在小信号稳压和电压参考应用中表现出色。其标称齐纳电压为6.8V，这一电压值处于硅材料PN结中温度系数接近零的“拐点”区域，因此具有出色的温度稳定性，能够在宽温度范围内提供几乎不变的参考电压。这是选择6.8V作为常用齐纳电压的重要原因之一。该器件的最大功率耗散为500mW，适用于低功耗电路中的稳压需求，如微控制器的复位电路、ADC参考源或接口电平保护。其SOD-323封装体积小巧，适合高密度贴装的现代电子产品，同时具备良好的热传导性能和机械强度。
　　该齐纳二极管在反向击穿状态下工作，具有快速响应能力和较小的电压波动，即使负载电流发生轻微变化，也能有效抑制电压漂移。其最大齐纳阻抗仅为10Ω，表明其在工作电流变化时电压变化幅度非常小，有助于提高系统的精度和稳定性。此外，器件的电压容差控制在±5%以内，保证了批量使用时的一致性，降低了系统校准成本。GDZT2R6.8还具备良好的瞬态响应能力，可用于吸收ESD脉冲或抑制线路中的电压尖峰，起到一定的电路保护作用。由于其低噪声特性和稳定的电气性能，常被用作模拟电路中的基准源，尤其是在电源监控、传感器信号调理和电压检测模块中表现突出。

应用

GDZT2R6.8齐纳二极管广泛应用于各类电子设备中，主要用于构建简单的稳压电路或提供精确的电压参考。常见应用场景包括便携式电子产品的低压直流稳压电源、微处理器的上电复位电路（Reset Circuit）中用于设定阈值电压、ADC或DAC的参考电压源，以及在电压检测电路中作为比较器的基准输入。此外，它也常用于接口电平转换电路中，配合限流电阻实现电压钳位，防止过压损坏后续逻辑器件，例如在I2C、UART等通信总线上提供静电放电（ESD）保护和电压限制功能。在工业控制系统中，该器件可用于传感器信号调理模块，为运放或仪表放大器提供偏置电压或参考电平。由于其体积小、可靠性高，也被大量应用于智能家居设备、可穿戴装置和物联网终端等对空间和功耗要求严格的领域。另外，在开关电源的反馈回路中，GDZT2R6.8可作为误差检测的基准元件，与光耦配合实现输出电压的闭环调节。