类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-323
　　齐纳电压（Vz）：2.5V @ Iz = 5mA
　　最大耗散功率（Ptot）：200mW
　　齐纳阻抗（Zzt）：≤50Ω @ Iz = 5mA
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　反向漏电流（Ir）：<1μA @ VR = 1V
　　温度系数：+4mV/°C（典型值）
　　测试电流（Iz）：5mA

GDZT2R5.1齐纳二极管具备优异的电压稳定性和快速响应能力，能够在反向偏置状态下实现精确的电压钳位功能。其核心特性之一是低且稳定的齐纳电压，标称值为2.5V，适用于需要低电压基准源的应用场景，例如模拟电路中的偏置设置或ADC参考电压生成。该器件在5mA测试电流下的动态阻抗不超过50Ω，表明其在负载变化时仍能维持较小的输出电压波动，从而提升系统的整体稳定性。
　　该器件采用先进的半导体制造工艺，确保了批次间参数的一致性与可靠性。其SOD-323封装不仅体积小巧（仅约1.7mm x 1.3mm x 1.1mm），还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内有效传导热量，防止因局部过热导致性能下降或失效。此外，GDZT2R5.1具有较低的反向漏电流，在未达到击穿电压前几乎不导通，减少了待机状态下的功耗损失，特别适合电池供电设备使用。
　　在温度特性方面，GDZT2R5.1表现出相对理想的温度系数，约为+4mV/°C，虽然呈现正温度系数，但在实际应用中可通过外围电路进行补偿。器件可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和汽车电子等恶劣环境。同时，其具备一定的浪涌承受能力，可应对短时间内的过压冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。综合来看，GDZT2R5.1是一款高性能、高可靠性的微型稳压元件，适合用于精密模拟前端、电源监控、ESD防护等多种电路设计中。

GDZT2R5.1广泛应用于各类需要低电压稳压和参考源的电子系统中。常见用途包括作为微控制器I/O口的电压钳位保护，防止外部信号过高造成损坏；也可用于电源轨的简单稳压方案，尤其是在无法使用线性稳压器或开关电源的小功率节点中。在传感器信号调理电路中，该器件可提供稳定的参考电压，确保放大器或比较器的偏置点准确无误。
　　此外，GDZT2R5.1常被用作ESD保护和瞬态电压抑制的辅助元件，配合TVS管或其他保护器件，构成多级防护体系。在通信接口如I2C、UART等线路中，它能有效抑制高频干扰和静电放电带来的电压尖峰，保障数据传输的可靠性。由于其低功耗特性，也广泛用于可穿戴设备、物联网终端、智能家居控制板等对尺寸和能耗敏感的产品中。
　　在模拟电路设计中，该齐纳二极管还可作为带隙基准的补充或启动辅助元件，帮助建立初始偏置条件。在电池供电系统中，可用于电池电压监测电路，通过分压后接入ADC，实现电量检测功能。总之，GDZT2R5.1凭借其小型化、低功耗和高稳定性，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

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　　 "MMBZ2R5AL-TP",
　　 "PMEZ2R5BA,115",
　　 "SZMM3Z2V4B-G",
　　 "ZMM2V5",
　　 "RB520S30"
　　]