时间：2025/8/14 10:38:33
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GDZJ39C 是一款由 Goodsky 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频率开关应用和功率管理领域。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和优异的热稳定性。
类型：MOSFET
极性：N 沟道
最大漏极电流：30 A
最大漏-源电压：60 V
导通电阻（Rds(on)）：0.028 Ω @ Vgs = 10 V
栅极电荷：19 nC
最大功耗：47 W
封装类型：TO-252
GDZJ39C MOSFET 采用先进的沟槽式设计，使其在高电流下仍能保持较低的导通电阻，从而减少功率损耗。其低栅极电荷特性支持快速开关操作，适用于高频开关电源和电机控制等应用。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的耐用性，能够在较高环境温度下稳定运行。TO-252 封装形式提供了优良的散热性能，确保了器件在高功率应用中的可靠性。
该 MOSFET 的低导通电阻有助于提高能效，降低系统运行温度，延长设备使用寿命。同时，GDZJ39C 在高温下的稳定表现使其适用于汽车电子、工业控制、电源适配器以及同步整流器等对可靠性要求较高的场景。
GDZJ39C 常用于同步整流器、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业电源以及汽车电子系统中的功率控制部分。
SiHH39C, AP439CJ
