类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：在2kHz下，典型值为110-800（根据具体等级）
　　频率响应：250MHz
　　封装类型：SOT-23

GDZJ30D-34T/B晶体管具有优异的电气性能和稳定性，适用于高频放大和开关应用。其主要特性包括：
　　1. 高频响应：由于晶体管的频率响应高达250MHz，因此非常适合用于射频（RF）和高频放大电路。
　　2. 低饱和压降：在导通状态下，晶体管的集电极-发射极饱和压降较低，有助于减少功耗并提高效率。
　　3. 宽工作温度范围：该晶体管能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适合各种严苛环境下的应用。
　　4. 高可靠性：采用先进的制造工艺，确保了晶体管在长期使用中的高稳定性与可靠性。
　　5. 多种电流增益等级：hFE值可以根据具体需求分为多个等级，用户可以根据实际应用选择合适的增益等级，以优化电路性能。
　　6. 小型封装：采用SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑型电路板上安装和使用。

GDZJ30D-34T/B晶体管广泛应用于各种电子电路中，主要用途包括：
　　1. 放大电路：用于音频放大器、射频放大器等电路中，作为信号放大元件。
　　2. 开关电路：在数字电路和控制电路中用作高速开关，控制负载的通断。
　　3. 电源管理：用于稳压电路和电源调节电路中，帮助实现电压和电流的精确控制。
　　4. 传感器接口：在传感器电路中作为信号处理和放大的关键元件。
　　5. 工业自动化：在工业控制系统中用于信号转换和驱动电路。
　　6. 通信设备：用于无线通信模块中的射频信号处理和放大。

2N3904, BC547, 2SC2222