时间：2025/12/26 12:52:33
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GDZ4V7LP3-7是一款由Diodes Incorporated生产的齐纳二极管（Zener Diode），属于表面贴装型稳压器件，广泛应用于电路中的电压参考、过压保护和稳压功能。该器件的标称齐纳电压为4.7V，在规定的测试电流条件下能够提供稳定的反向击穿电压，确保后级电路工作在安全电压范围内。GDZ4V7LP3-7采用SOD-923封装，具有体积小、功耗低、响应速度快等特点，非常适合用于便携式电子设备和高密度PCB布局设计中。该器件符合RoHS环保要求，并具备良好的温度稳定性和长期可靠性，能够在较宽的环境温度范围内稳定工作。其结构设计优化了热性能和电气性能，能够在瞬态电压波动或电源异常时快速响应，防止敏感元件受损。此外，GDZ4V7LP3-7还具有较低的动态阻抗，有助于维持输出电压的稳定性，适用于需要精确电压钳位的应用场景。
类型：齐纳二极管
封装：SOD-923
齐纳电压（Vz）：4.7V
容差：±5%
最大耗散功率：200mW
测试电流（Iz）：5mA
最大反向漏电流（Ir）：1μA @ VR = 1V
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
通道数：1
极性：单路齐纳
GDZ4V7LP3-7齐纳二极管具备出色的电压稳定性能，其标称齐纳电压为4.7V，在5mA的测试电流下表现出优异的电压调节能力。该器件具有±5%的电压容差，能够在不同工作条件下保持较高的精度，适用于对电压参考要求较高的模拟和数字电路系统。其采用的SOD-923封装形式极为紧凑，外形尺寸约为1.8mm x 1.4mm x 1.0mm，适合高密度表面贴装工艺，有利于节省PCB空间并提升组装效率。该封装还具备良好的散热性能，配合合理的PCB布局可有效将热量传导至外部环境，避免因局部温升过高而影响器件寿命。
该器件的最大连续功率耗散为200mW，能够在有限的空间内承受一定的瞬时功率冲击，适用于低功耗电源管理模块中的稳压与钳位应用。其反向漏电流极低，在1V反向电压下的典型值仅为1μA，这保证了在非击穿状态下几乎不产生额外功耗，特别适合电池供电设备以延长续航时间。此外，GDZ4V7LP3-7的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其可在极端环境温度下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子等严苛应用场景。
该齐纳二极管具有较低的动态阻抗，意味着当流经器件的电流发生微小变化时，其两端电压的变化也非常小，从而提高了电压基准的稳定性。这种特性使其不仅可用于简单的过压保护，还可作为精密参考源使用。器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准（如适用型号），并通过了无铅和无卤素认证，满足现代绿色电子产品制造的要求。同时，其ESD耐受能力较强，提升了在自动化装配过程中的抗静电损伤能力。
GDZ4V7LP3-7广泛应用于各类需要电压钳位、稳压或参考电压生成的电子电路中。常见用途包括电源轨的过压保护，例如在3.3V或5V逻辑系统中用于防止瞬态电压尖峰损坏后续IC；也可作为低压模拟电路中的参考电压源，为ADC、DAC或比较器提供稳定偏置。由于其封装小巧且响应迅速，常被用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，实现内部信号线的静电防护与电压箝位。
在通信接口保护方面，GDZ4V7LP3-7可用于USB、I2C、UART等低速信号线路的ESD防护，吸收IEC61000-4-2规定的接触放电（如±8kV）能量，保障数据传输的可靠性。此外，在传感器模块中，该器件可用于稳定供电电压或保护敏感传感元件免受电源波动影响。工业控制系统、医疗电子设备以及汽车电子中的辅助模块也常采用此类齐纳二极管进行局部稳压与浪涌抑制。得益于其高可靠性和小型化优势，GDZ4V7LP3-7成为现代电子设计中不可或缺的基础保护元件之一。
PZM4.7, BZT52C4V7, MMBZ4V7ALT1G, SZLL4735-TP
