类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSOP
　　功率耗散（Pd）：2.5W

GDZ15B_AY_10001具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中导通损耗显著降低，提高了整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式结构设计，有效提升了电流承载能力和热稳定性。
　　此外，GDZ15B_AY_10001具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的电源设计。其栅极驱动电压范围适中，兼容标准逻辑电平，便于与各种控制IC配合使用。
　　该MOSFET具备良好的热阻特性，TSOP封装形式有助于快速散热，确保在高负载条件下的稳定运行。同时，器件内部设计优化了电磁干扰（EMI）特性，有助于降低系统噪声，提高电磁兼容性。
　　在可靠性方面，GDZ15B_AY_10001通过了严格的工业标准测试，能够在宽温度范围内稳定工作，适用于工业自动化、消费类电子产品及通信设备等严苛环境。

GDZ15B_AY_10001主要应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路等。其低导通电阻和高开关速度使其在高效率、高频率的开关电源中表现出色。
　　此外，该器件也可用于电机驱动电路、LED背光驱动、电源管理IC（PMIC）外围电路以及便携式电子设备的电源控制部分。由于其优异的热稳定性和紧凑的封装设计，GDZ15B_AY_10001也适用于空间受限且对散热要求较高的应用场合，如智能手表、平板电脑和智能手机等消费电子产品。
　　在工业控制领域，GDZ15B_AY_10001可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出驱动模块、传感器电源管理以及自动化设备中的电源切换控制等场景。

Si2302DS、AO4406、FDS6680、FDN340P、FDN335N