GDB41A32ED7-D2S是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其设计优化了效率与可靠性,适合各种需要高效能功率转换的应用场景。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,支持较高的连续漏极电流和栅极耐压能力,同时提供卓越的电气性能以满足现代电子设备对功率管理的需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:41A
导通电阻:3.2mΩ
栅极电荷:95nC
开关时间:典型值8ns(开启),20ns(关闭)
功耗:240W
工作温度范围:-55℃至175℃
GDB41A32ED7-D2S具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有效降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗,特别适合高频应用。
3. 高电流承载能力,能够承受较大的负载需求。
4. 强大的热稳定性,确保在高温环境下仍保持可靠运行。
5. 小尺寸封装,便于电路板布局和紧凑型设计。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代化产品中。
这款功率MOSFET适用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电动工具及家用电器中的直流电机控制。
3. 太阳能逆变器系统中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车电池管理系统中的保护电路。
6. LED照明驱动器中的电流调节功能。
GDB41A32ED7-D3T
GDB40A30ED7-D2S
IRF3205
FDP5500