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GD9D4M4EYKM 发布时间 时间:2025/8/22 4:06:00 查看 阅读:4

GD9D4M4EYKM 是由 Gigadevice(兆易创新)推出的一款高性能、低功耗的 NOR 闪存芯片。该芯片采用 1.8V 电压供电,支持高速读取和高密度存储,适用于需要高可靠性和快速访问的嵌入式应用。GD9D4M4EYKM 提供 512Mbit(64MB)的存储容量,采用 8-Pin 或 16-Pin 的封装形式,适合在工业、汽车电子、消费类电子产品中使用。

参数

存储容量:512Mbit
  电压范围:1.65V - 1.95V
  接口类型:SPI
  最大时钟频率:80MHz
  读取电流:5mA(典型值)
  待机电流:10uA(典型值)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:SOP8、WSON8、TSOP 等

特性

GD9D4M4EYKM 具有低功耗设计,支持多种省电模式,包括待机模式和深度掉电模式,能够有效延长设备的电池寿命。
  该芯片支持高速 SPI 接口,提供高达 80MHz 的时钟频率,满足高性能嵌入式系统的数据读取需求。
  具备高可靠性,支持 10 万次编程/擦除周期,数据可保持 20 年以上。
  内置错误检测和纠错机制,确保数据存储的安全性和完整性。
  支持多种安全功能,包括软件和硬件写保护、锁定寄存器等,防止意外数据修改。

应用

GD9D4M4EYKM 被广泛应用于嵌入式系统、物联网设备、汽车电子、工业控制、消费类电子产品、智能穿戴设备以及需要高可靠性和高速存储的场景。
  例如,它可以用于存储固件代码、引导程序、图像数据、音频文件等,尤其适合需要频繁更新或高速访问的应用场景。
  在汽车电子领域,该芯片可用于车载导航、仪表盘、智能驾驶辅助系统(ADAS)等设备中。
  在工业控制领域,GD9D4M4EYKM 可用于 PLC 控制器、传感器节点、工业通信设备等场景。

替代型号

MX25L512EMDI-12G, W25Q512JVFMQ, IS25WP512SJ-0.1Q

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