GD75PIL120C6S 是一款由Giantec(杰华特)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率场效应晶体管类别。该器件主要用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统以及其他需要高效率功率开关的应用中。GD75PIL120C6S 是一个P沟道MOSFET,具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性等特点,适合在中高功率的电子设备中使用。
类型:P沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):120V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):7.5A
导通电阻(Rds(on)):约28mΩ(在Vgs=10V时)
功耗(Pd):34W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
GD75PIL120C6S 是一款高性能的P沟道MOSFET,具有较低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流工作条件下能够有效降低功率损耗,提高系统的整体效率。该器件的耐压能力达到120V,适用于多种中高压功率转换应用。其栅极驱动电压范围宽,通常可以在+10V至+20V之间正常工作,保证了在不同控制电路中的兼容性。
此外,GD75PIL120C6S 采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,能够在较高功率下保持稳定工作。该封装形式也便于PCB布局和自动化生产。该MOSFET还具备良好的抗雪崩击穿能力和较高的可靠性,适合在工业级环境中使用。
在动态性能方面,GD75PIL120C6S 的开关速度快,输入电容较小,能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。这种特性使其特别适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等高频功率转换场合。
GD75PIL120C6S 主要应用于各类功率电子设备中,特别是在需要高效能、高稳定性的电源管理系统中。典型的应用包括同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池充电与保护电路、工业自动化控制设备、通信电源模块以及消费类电子产品中的电源管理单元。此外,由于其优异的导通特性和耐压能力,GD75PIL120C6S 也常用于高可靠性要求的工业控制系统和汽车电子系统中。
Si7155DP, IRFR9024, FDS6680, AO4407