GD50FFL120C5S 是一款由GaN Systems公司推出的高性能氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),专为高效率、高频率的电力电子应用而设计。该器件采用了GaN Systems的GS-HEMT技术,具有极低的导通电阻和开关损耗,适用于电动汽车(EV)充电系统、可再生能源逆变器、服务器电源以及工业电源等高功率密度应用场景。
类型:增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
漏源电压(VDS):120V
连续漏极电流(ID):50A
导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ
栅极电荷(QG):10nC
输出电容(COSS):400pF
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:5mm x 6mm 塑料封装(Land Grid Array, LGA)
GD50FFL120C5S具备多项卓越的电气和热管理特性。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,该器件的栅极电荷(QG)非常低,有助于减少开关损耗,从而支持更高的开关频率,适用于高频电源转换应用。
此外,GD50FFL120C5S采用先进的封装技术,具备优异的热性能,能够在高电流和高温环境下稳定运行。其低寄生电感设计也进一步提升了开关性能,降低了电磁干扰(EMI),简化了外围电路设计。
该器件符合RoHS环保标准,无铅封装,适用于自动化装配工艺。同时,其耐久的栅极结构设计增强了器件的可靠性和耐用性,确保在复杂工况下仍能保持稳定性能。
GD50FFL120C5S广泛应用于需要高效率、高频开关和高功率密度的电力电子系统中。例如,在电动汽车的车载充电器(OBC)和DC-DC转换器中,该器件可以显著提升能量转换效率并减小系统体积。在可再生能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,GD50FFL120C5S能够实现更高效的能量转换和管理。
此外,该器件也适用于数据中心的服务器电源供应器,能够在高频率下运行,提升电源系统的整体效率并降低冷却需求。在工业电源、UPS(不间断电源)、无线充电和激光雷达(LiDAR)电源系统中也有广泛应用前景。
GS66508T, EPC2218, SiC620