时间：2025/7/18 19:44:31
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GD50FFL120C5S 是一款由GaN Systems公司推出的高性能氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），专为高效率、高频率的电力电子应用而设计。该器件采用了GaN Systems的GS-HEMT技术，具有极低的导通电阻和开关损耗，适用于电动汽车（EV）充电系统、可再生能源逆变器、服务器电源以及工业电源等高功率密度应用场景。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压（VDS）：120V
连续漏极电流（ID）：50A
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ
栅极电荷（QG）：10nC
输出电容（COSS）：400pF
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：5mm x 6mm 塑料封装（Land Grid Array, LGA）
GD50FFL120C5S具备多项卓越的电气和热管理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件的栅极电荷（QG）非常低，有助于减少开关损耗，从而支持更高的开关频率，适用于高频电源转换应用。
此外，GD50FFL120C5S采用先进的封装技术，具备优异的热性能，能够在高电流和高温环境下稳定运行。其低寄生电感设计也进一步提升了开关性能，降低了电磁干扰（EMI），简化了外围电路设计。
该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于自动化装配工艺。同时，其耐久的栅极结构设计增强了器件的可靠性和耐用性，确保在复杂工况下仍能保持稳定性能。
GD50FFL120C5S广泛应用于需要高效率、高频开关和高功率密度的电力电子系统中。例如，在电动汽车的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器中，该器件可以显著提升能量转换效率并减小系统体积。在可再生能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，GD50FFL120C5S能够实现更高效的能量转换和管理。
此外，该器件也适用于数据中心的服务器电源供应器，能够在高频率下运行，提升电源系统的整体效率并降低冷却需求。在工业电源、UPS（不间断电源）、无线充电和激光雷达（LiDAR）电源系统中也有广泛应用前景。
GS66508T, EPC2218, SiC620
