时间：2022/9/29 17:24:55
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GD32F103VET6 器件是基于 Arm 的 32 位通用微控制器Cortex-M3 RISC 内核在处理能力方面具有最佳比率，降低了功耗消费和外设。 Cortex-M3 是下一代处理器内核与嵌套向量中断控制器 (NVIC)、SysTick 计时器和高级调试支持。
GD32F103VET6 器件是基于 Arm 的 32 位通用微控制器Cortex-M3 RISC 内核在处理能力方面具有最佳比率，降低了功耗消费和外设。 Cortex-M3 是下一代处理器内核与嵌套向量中断控制器 (NVIC)、SysTick 计时器和高级调试支持。
GD32F103VET6 器件包含 Arm Cortex-M3 32 位处理器内核，可运行在 108 MHz 频率下，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 3 MB 的片上闪存和高达 96 KB 的 SRAM 存储器。一个广泛的连接到两条 APB 总线的一系列增强型 I/O 和外围设备。设备提供最多三个 12 位 ADC，最多两个 12 位 DAC，最多十个通用 16 位定时器，两个基本定时器加上两个PWM高级定时器，以及标准和高级通信接口：多达三个 SPI、两个 I2C、三个 USART、两个 UART、两个 I2S、一个 USBD、一个 CAN 和一个数据输出。
核心
ARM@32位Cortex2M3 CPU 72MHz最大频率，1.25 dmip/MH(Dhrystone 2.1)
等待状态下的性能内存访问单周期乘法和硬件除法
内存
256至512千字节的闪存
高达64千字节的静态随机存取存储器
灵活的静态内存控制器，具有4个芯片选择。
支持紧凑型闪存、静态随机存取存储器， PSRAM、NOR和NAND存储器LCD并行接口、8080/6800模式
时钟、复位和电源管理
2.0至3.6 V应用电源和/Os
POR、PDR和可编程电压检测(PVD)
4至16 MHz晶体振荡器
内部8 MHz工厂调整RC
内部40 kHz RC带校准
32kHz振荡器用于RTC带校准
低功耗
休眠、停止和待机模式
VeAT电源用于RTC和备份寄存器3×12位、1 us A/D转换器(最多 转换范围:0至3.6V
三重采样和保持能力
温度传感器2x12位D/A转换器DMA:12通道DMA控制器
支持的外设:定时器、ADC、DAC、SDIO、PSs、SPIs、IPCs和USARTs
调试模式
串行线调试(SWD)和JTAG接口
Cortex=M3嵌入式跟踪宏接口
最多112个快速l/O端口
51/80/112 /Os，可在16个外部中断矢量和几乎所有5 V上映射
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 额外特性 | I2S | |
| UART/USART | 5 | |
| SPI | 3 | |
| USB Device | 1 | |
| PWM | 2 | |
| USB Host/OTG | 1 | |
| LCD | MOTOROLA 6800 AND INTEL 8080 TYPE LCD DIRECTLY | |
| I2C（SMBUS/PMBUS） | 2 | |
| 工作电压 | 2.6V ~ 3.6V | |
| Ethernet | 0 | |
| EEPROM 尺寸 | 0 | |
| CAN | 1 | |
| A/D | 16x12bit | |
| D/A | 2x12bit | |
| CPU位数 | 32-Bit | |
| CPU内核 | ARM? Cortex?-M3 | |
| ROM尺寸 | 512KB | |
| RAM大小 | 64KB | |
| 主频（MAX) | 108MHz | |
| ROM类型 | FLASH | |
| I/O 数 | 80 |
