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GD25Q256DYIGR 发布时间 时间:2024/5/7 15:45:57 查看 阅读:299

GD25Q256DYIGR(256M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#/RESET#)。双I/O数据以208Mbit/s的速度传输,四路I/O和四路输出数据以416Mbit/s速度传输。

基础介绍

  厂商型号:GD25Q256DYIGR

  品牌名称:GigaDevice(兆易创新)

  元件类别:NOR FLASH

  封装规格:WSON-8-EP(8x6)

  型号介绍:416Mbit/s

特点

  ●256M位串行闪存

  ●每个可编程页面256字节

  ●标准、双、四SPI

  ●标准SPI:SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#/RESET#

  ●双重:SCLK。CS#。WP#保持#/复位

  ●四边形:SCLK。CS#。101. .

  ●3或4字节寻址模式

  ●高速时钟频率-最大104MHz,可在3上快速读取。0-3.6V电源

  ●高达208Mbit/s的双I/O数据传输

  ●Quad/O数据传输高达416Mbit/s-最大80MHz,可在2上快速读取。7-3.6V电源

  ●高达160Mbit/s的双I/O数据传输

  ●高达320Mbit/s的四路数据传输

  ●软件写入保护

  ●通过软件写入保护所有/部分内存-顶部/底部块保护

  ●允许XIP(就地执行)操作-带8/16/32/64字节换行的连续读取

  ●循环耐久性和数据保留-最少100000次编程/擦除循环-典型的20年数据保留

中文参数

商品分类NOR FLASH品牌GigaDevice(兆易创新)
封装WSON-8包装圆盘

原理图

GD25Q256DYIGR原理图

GD25Q256DYIGR原理图

引脚

GD25Q256DYIGR原理图

GD25Q256DYIGR引脚图

封装

GD25Q256DYIGR封装图

GD25Q256DYIGR封装

料号解释

GD25Q256DYIGR料号解释图

GD25Q256DYIGR料号解释

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GD25Q256DYIGR图片

GD25Q256DYIGR

GD25Q256DYIGR参数

  • 现有数量7,856现货
  • 价格1 : ¥31.08000剪切带(CT)3,000 : ¥20.72566卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织32M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,2.4ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(6x8)