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GD25LQ64ESIGR 发布时间 时间:2024/5/7 15:53:45 查看 阅读:240

GD25LQ64ESIGR (64M-bit)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),双/四SPI:串行时钟,芯片选择,串行数据I/O0 (SI), I/O1 (SO), I/O2 (WP#), I/O3 (HOLD#)。Dual I/O传输速率为266Mbit/s, Quad I/O传输速率为532Mbit/s。

基础介绍

  厂商型号:GD25LQ64ESIGR

  品牌名称:GigaDevice(兆易创新)

  元件类别:NOR FLASH

  封装规格:SOP-8-208mil

  型号介绍:133MHz

特点

  ●64M位串行闪存

  ●8192K字节

  ●每个可编程页面256字节

  ●标准、双路、四路。

  ●标准SPI:SCLK、CS#、SI、SO.WP#。保持#

  ●双SPl:SCLK,CS#,WP#,保持#

  ●四路:SCLK CS#。102

  ●QP:SCLK,CS#,I0,01,2,3

  ●高速时钟频率

  ●133MHz用于30PF负载的快速读取

  ●高达266Mbit/s的双I/O数据传输

  ●四路/O数据传输高达532Mbit/s

  ●QPI模式数据传输高达532Mbit/s

  ●软件/硬件保护

  ●通过软件对所有/部分内存进行写保护

  ●使用WP#引脚启用/禁用保护

  ●顶部/底部块保护

  ●耐久性和数据保留

  ●最少100000个编程/擦除周期

  ●典型的20年数据保留期

  ●允许XiP(就地执行)操作

  ●高速读取减少了整个XiP指令获取时间


  ●带包装的连续读取进一步减少了填充SoC缓存的数据延迟

中文参数

商品分类NOR FLASH品牌GigaDevice(兆易创新)
封装SOP-8包装圆盘

原理图

GD25LQ64ESIGR原理图

GD25LQ64ESIGR原理图

引脚

GD25LQ64ESIGR原理图

GD25LQ64ESIGR引脚图

封装

GD25LQ64ESIGR封装图

GD25LQ64ESIGR封装

料号解释

GD25LQ64ESIGR料号解释图

GD25LQ64ESIGR料号解释

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GD25LQ64ESIGR图片

GD25LQ64ESIGR

GD25LQ64ESIGR参数

  • 现有数量13,005现货
  • 价格1 : ¥10.49000剪切带(CT)2,000 : ¥7.51242卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页60μs,2.4ms
  • 访问时间7 ns
  • 电压 - 供电1.65V ~ 2V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP