时间：2025/6/24 10:49:14
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GCQ1555C1HR50BB01D 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于电源管理、电机驱动以及各类开关应用中。该器件采用了先进的制程技术，在低导通电阻和高效率方面表现出色，同时具备优秀的热特性和电气稳定性。其封装形式专为散热优化设计，适用于工业级和消费级电子设备。
型号：GCQ1555C1HR50BB01D
类型：N-Channel MOSFET
工作电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
功耗(Ptot)：150W
封装形式：TO-247-3L
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GCQ1555C1HR50BB01D具有低导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，可适应高频应用需求。
其栅极电荷较低，有助于减少驱动损耗，并提升整体电路性能。
该MOSFET在高温环境下表现稳定，适合长时间运行的高负载应用场景。
封装形式经过特殊设计，增强了散热性能，使器件能够在高功率密度条件下可靠工作。
GCQ1555C1HR50BB01D广泛应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动、不间断电源(UPS)等场景。
此外，它也适用于工业自动化设备中的功率控制模块，例如伺服驱动器和机器人控制器。
在汽车电子领域，这款MOSFET可用于车载充电器、启动电机和其他大电流负载的控制。
消费类电子产品如笔记本电脑适配器、家用电器调速器中也有其用武之地。
GCQ1555C1HR50BA01D
IRF540N
FDP5800
STP55NF06L
