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GCQ1555C1HR10WB01D 发布时间 时间:2025/7/9 18:46:03 查看 阅读:21

GCQ1555C1HR10WB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该芯片采用了先进的沟槽式结构设计,能够显著降低导通电阻,同时具备出色的开关性能。其封装形式为 DPAK(TO-263),适合高功率密度的应用场景。
  这款器件在工业、消费电子以及汽车电子领域有着广泛的应用前景,例如开关电源、DC-DC 转换器、电池管理系统等。

参数

型号:GCQ1555C1HR10WB01D
  类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(VDS):60 V
  最大栅源电压(VGS):±20 V
  持续漏极电流(ID):40 A
  导通电阻(RDS(on)):1.0 mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
  功耗:120 W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:DPAK(TO-263)

特性

GCQ1555C1HR10WB01D 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,可满足高频应用需求。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 内置 ESD 保护电路,提高了产品的可靠性和抗静电能力。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合全球市场应用。
  6. 支持高温工作环境,适用于严苛的工作条件。
  7. 紧凑型封装设计,便于 PCB 布局优化。

应用

GCQ1555C1HR10WB01D 广泛用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)及 AC-DC 转换器。
  2. 各类 DC-DC 转换器,包括降压、升压和升降压拓扑。
  3. 电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制器。
  4. 电池管理与保护系统,例如电动汽车动力电池组。
  5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  6. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品。
  7. 汽车电子应用,如启停系统和车载充电模块。

替代型号

GCQ1555C1HR10WB02D, GCQ1555C1HR10WB03D

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GCQ1555C1HR10WB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.86894卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.1 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-