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GCQ1555C1H9R6WB01D 发布时间 时间:2025/6/21 2:18:47 查看 阅读:4

GCQ1555C1H9R6WB01D是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信领域中的信号增强与传输。该芯片采用先进的半导体制造工艺,能够提供高效率和高增益的射频信号放大功能。
  该芯片具有较宽的工作频率范围,适合多种现代通信标准,如Wi-Fi、4G LTE以及新兴的5G技术等。其封装形式紧凑,便于在空间受限的应用场景中使用,同时具备良好的散热性能,确保长时间稳定运行。

参数

型号:GCQ1555C1H9R6WB01D
  工作频率范围:3.4GHz 至 3.6GHz
  输出功率:28dBm
  增益:18dB
  电源电压:5V
  静态电流:300mA
  最大效率:55%
  封装形式:WBGA(焊球阵列封装)
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GCQ1555C1H9R6WB01D的主要特点是其高效的射频信号放大能力。它能够在保持低失真的前提下,显著提高输出信号的强度。
  此外,该芯片内置了多种保护机制,包括过热保护和负载失配保护,从而提高了整体系统的可靠性。其紧凑的封装设计使其特别适合于小型化和高密度的电路板布局。
  在功耗管理方面,GCQ1555C1H9R6WB01D通过优化的偏置电路实现了较低的静态电流消耗,这在便携式设备或电池供电系统中尤为重要。
  另外,这款芯片还支持外部匹配网络调整,以进一步优化不同应用环境下的性能表现。

应用

GCQ1555C1H9R6WB01D主要应用于各种需要高效射频放大的场合,例如:
  1. 无线接入点(AP)和路由器中的Wi-Fi信号增强。
  2. 移动通信基站的小型化天线模块。
  3. 专用无线通信设备,如对讲机或无人机遥控系统。
  4. 物联网(IoT)网关设备,用于扩大传感器节点的覆盖范围。
  5. 高速数据链路中的中继站设备,用于提升传输距离和信号质量。
  由于其出色的性能和灵活性,这款芯片也适用于一些高端定制化解决方案,比如卫星通信地面终端或军事无线电通信系统。

替代型号

GCQ1555C1H9R6WB02D, GCQ1555C1H9R6WB03D

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GCQ1555C1H9R6WB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.58840卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容9.6 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-