您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GCQ1555C1H9R3CB01D

GCQ1555C1H9R3CB01D 发布时间 时间:2025/6/17 5:33:35 查看 阅读:4

GCQ1555C1H9R3CB01D 是一款高性能的射频功率放大器芯片,专为无线通信系统中的射频信号放大设计。它采用了先进的半导体制造工艺,具有高增益、低噪声和出色的线性度,适用于需要稳定性能和高效功率转换的应用场景。
  该芯片广泛用于基站、微波通信设备和其他射频传输设备中,能够满足复杂通信环境下的高频信号处理需求。

参数

型号:GCQ1555C1H9R3CB01D
  工作频率范围:2.4GHz - 6GHz
  增益:18dB
  输出功率(P1dB):35dBm
  效率:45%
  供电电压:5V
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  封装形式:QFN48

特性

GCQ1555C1H9R3CB01D 的主要特性包括:
  1. 高增益和高线性度,适合多种复杂的调制方式。
  2. 宽带频率覆盖,支持从 2.4GHz 到 6GHz 的多个频段应用。
  3. 内置匹配网络,简化外部电路设计,减少外围元件数量。
  4. 具有良好的热稳定性和可靠性,适应工业级的工作温度范围。
  5. 封装紧凑,便于在小型化设备中使用。
  6. 提供多种保护机制,例如过流保护和过温保护,增强芯片的使用寿命和安全性。

应用

GCQ1555C1H9R3CB01D 广泛应用于以下领域:
  1. 无线通信基础设施,如蜂窝基站、小基站等。
  2. 微波点对点和点对多点通信系统。
  3. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备。
  4. 雷达和传感器系统中的信号放大部分。
  5. 卫星通信终端和其他射频信号发射设备。
  这款芯片因其卓越的性能表现,在需要高效功率放大和高频工作的场景中具有明显优势。

替代型号

GCQ1555C1H9R3CB02D, GCQ1555C1H9R3CB03E

GCQ1555C1H9R3CB01D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GCQ1555C1H9R3CB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.22884卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容9.3 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-