您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GCQ1555C1H7R1WB01D

GCQ1555C1H7R1WB01D 发布时间 时间:2025/5/28 11:56:37 查看 阅读:10

GCQ1555C1H7R1WB01D 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于无线通信系统中的功率放大应用。该晶体管采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、高线性度和高效率的特点,适用于蜂窝基站、无线基础设施以及其他高频应用领域。
  这款器件在设计上注重散热性能和稳定性,能够满足苛刻的工作环境要求,并支持宽频带操作以适应多载波和多模式的应用场景。

参数

型号:GCQ1555C1H7R1WB01D
  工作频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
  最大输出功率:45 dBm
  增益:15 dB
  效率:50%(典型值)
  电源电压:28 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:陶瓷气密封装
  输入匹配阻抗:50 Ω
  输出匹配阻抗:50 Ω

特性

GCQ1555C1H7R1WB01D 拥有卓越的射频性能,其关键特性包括以下几点:
  1. 高功率密度:能够在紧凑的设计中提供高输出功率,减少了对额外外部元件的需求。
  2. 宽带兼容性:覆盖从 1.8 GHz 到 2.2 GHz 的频段,适用于多种无线通信标准。
  3. 出色的线性度:降低了互调失真,提升了信号传输质量。
  4. 内部匹配网络:简化了外部电路设计,提高了系统集成度。
  5. 高可靠性和稳定性:即使在极端条件下也能保持稳定运行,延长了使用寿命。
  6. 热管理优化:通过改进的封装设计,增强了散热能力,从而提升了整体性能。

应用

GCQ1555C1H7R1WB01D 主要应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站:用于 4G LTE 和未来 5G 系统的射频功率放大器。
  2. 射频通信设备:如点对点微波链路、卫星地面站等需要高功率和高效率的场合。
  3. 工业、科学与医疗 (ISM) 领域:为各种无线电能传输及测量仪器提供稳定的射频能量。
  4. 测试与测量设备:在实验室环境中进行射频信号生成和分析。
  5. 军事和航空航天:支持高性能雷达和通信系统。

替代型号

GCQ1555C1H7R1WB02D, GCQ1555C1H7R1WB03D

GCQ1555C1H7R1WB01D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GCQ1555C1H7R1WB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.58840卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容7.1 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-