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GCQ1555C1H3R9DB01D 发布时间 时间:2025/6/20 19:12:08 查看 阅读:18

GCQ1555C1H3R9DB01D 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于通信设备、无线网络和雷达系统等领域。该芯片采用先进的 GaN(氮化镓)工艺制造,具备高效率、高增益和宽频带的特点,能够满足现代射频系统对性能的苛刻要求。其设计针对高频段应用进行了优化,支持高达数GHz的工作频率范围。

参数

型号:GCQ1555C1H3R9DB01D
  工作电压:28V
  输出功率:50W
  频率范围:800MHz - 4GHz
  增益:15dB
  效率:65%
  封装形式:陶瓷气密封装
  工作温度:-40℃ 至 +85℃

特性

GCQ1555C1H3R9DB01D 具有以下显著特性:
  1. 高输出功率:能够在高频条件下提供稳定的 50W 输出功率,适用于大功率射频应用场景。
  2. 宽带操作:支持从 800MHz 到 4GHz 的宽频带操作,适合多种无线通信标准。
  3. 高效率:在额定功率下,效率可达 65%,有效降低热损耗和提高系统整体效能。
  4. 稳定性:内置保护电路,确保在过载或失配情况下仍能正常运行。
  5. 小型化设计:采用紧凑的陶瓷气密封装,便于集成到空间受限的系统中。
  6. 可靠性高:经过严格测试,适应极端温度环境和长时间连续工作需求。

应用

GCQ1555C1H3R9DB01D 芯片的主要应用领域包括:
  1. 基站放大器:用于 4G/5G 通信基站中的射频信号放大。
  2. 军事雷达:支持高性能雷达系统的发射机模块。
  3. 卫星通信:为卫星地面站提供高功率射频信号传输。
  4. 工业无线通信:应用于工业自动化设备中的高可靠性通信链路。
  5. 医疗成像设备:作为超声波或其他医疗影像设备的射频驱动源。

替代型号

GCQ1555C1H3R9EB02D, GCQ1555C1H3R9CB03D

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GCQ1555C1H3R9DB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.18949卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3.9 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-