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GCQ1555C1H3R6CB01D 发布时间 时间:2025/6/5 9:24:11 查看 阅读:7

GCQ1555C1H3R6CB01D 是一款高性能的射频 (RF) 功率放大器芯片,广泛应用于无线通信领域,特别是在 4G 和 5G 基站、远程射频单元 (RRU) 等场景中。该芯片采用先进的 GaN(氮化镓)技术制造,具有高效率、高线性度和宽频率范围等特性。其封装形式为小型化的陶瓷封装,能够有效降低寄生效应并提升散热性能。
  这款功率放大器在高频段表现出色,支持多种调制方式,并具备良好的增益稳定性。它适用于需要高输出功率和低功耗的应用场合。

参数

型号:GCQ1555C1H3R6CB01D
  工作频率范围:2.1GHz 至 2.7GHz
  饱和输出功率:45dBm
  增益:15dB
  效率:50%
  电源电压:28V
  静态电流:6A
  输入匹配阻抗:50Ω
  输出匹配阻抗:50Ω
  封装形式:陶瓷封装
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

1. 采用 GaN 技术,提供更高的功率密度和效率,相比传统 LDMOS 技术更加优越。
  2. 宽带设计使其能够覆盖多个频段,减少系统复杂性。
  3. 高线性度支持复杂的数字调制信号,例如 OFDM 和 QAM。
  4. 内置保护电路,包括过热保护、过流保护以及负载失配保护,确保长期稳定运行。
  5. 小型化封装设计,适合紧凑型设备应用,同时提供出色的散热能力。
  6. 支持多种偏置模式,便于用户根据实际需求优化性能。

应用

GCQ1555C1H3R6CB01D 主要应用于以下领域:
  1. 4G LTE 和 5G NR 基站中的射频功率放大模块。
  2. 远程射频单元 (RRU) 中的功率放大器。
  3. 微波点对点通信系统中的功率放大器。
  4. 军用及民用雷达系统的发射机功率放大器。
  5. 其他需要高功率、高效率和高线性度的无线通信设备。

替代型号

GCQ1555C1H3R6CB02D, GCQ1555C1H3R6CB03D

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GCQ1555C1H3R6CB01D参数

  • 现有数量9,629现货
  • 价格1 : ¥1.67000剪切带(CT)10,000 : ¥0.28376卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容3.6 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-