时间：2025/6/5 9:24:11
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GCQ1555C1H3R6CB01D 是一款高性能的射频 (RF) 功率放大器芯片，广泛应用于无线通信领域，特别是在 4G 和 5G 基站、远程射频单元 (RRU) 等场景中。该芯片采用先进的 GaN（氮化镓）技术制造，具有高效率、高线性度和宽频率范围等特性。其封装形式为小型化的陶瓷封装，能够有效降低寄生效应并提升散热性能。
这款功率放大器在高频段表现出色，支持多种调制方式，并具备良好的增益稳定性。它适用于需要高输出功率和低功耗的应用场合。
型号：GCQ1555C1H3R6CB01D
工作频率范围：2.1GHz 至 2.7GHz
饱和输出功率：45dBm
增益：15dB
效率：50%
电源电压：28V
静态电流：6A
输入匹配阻抗：50Ω
输出匹配阻抗：50Ω
封装形式：陶瓷封装
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
1. 采用 GaN 技术，提供更高的功率密度和效率，相比传统 LDMOS 技术更加优越。
2. 宽带设计使其能够覆盖多个频段，减少系统复杂性。
3. 高线性度支持复杂的数字调制信号，例如 OFDM 和 QAM。
4. 内置保护电路，包括过热保护、过流保护以及负载失配保护，确保长期稳定运行。
5. 小型化封装设计，适合紧凑型设备应用，同时提供出色的散热能力。
6. 支持多种偏置模式，便于用户根据实际需求优化性能。
GCQ1555C1H3R6CB01D 主要应用于以下领域：
1. 4G LTE 和 5G NR 基站中的射频功率放大模块。
2. 远程射频单元 (RRU) 中的功率放大器。
3. 微波点对点通信系统中的功率放大器。
4. 军用及民用雷达系统的发射机功率放大器。
5. 其他需要高功率、高效率和高线性度的无线通信设备。
GCQ1555C1H3R6CB02D, GCQ1555C1H3R6CB03D
