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GCQ1555C1H3R2BB01D 发布时间 时间:2025/6/6 9:36:56 查看 阅读:6

GCQ1555C1H3R2BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够在高频开关条件下提供卓越的性能表现。
  该型号属于沟道型MOSFET系列,主要设计用于降低功耗并提高系统的整体效率。其封装形式为行业标准的DFN8(2x2mm),体积小巧,非常适合对空间要求较高的应用环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.9A
  导通电阻:2.2mΩ
  栅极电荷:16nC
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:DFN8(2x2mm)

特性

GCQ1555C1H3R2BB01D的核心优势在于其超低的导通电阻,仅为2.2毫欧,这极大地减少了功率损耗,特别是在高电流应用场景中。此外,其小型化的封装设计使其成为紧凑型设计的理想选择。
  该器件还具有快速开关速度,能够有效减少开关损耗,并支持高达数兆赫兹的工作频率。内置的ESD保护功能增强了产品的可靠性,同时其宽泛的工作温度范围(-55℃至175℃)确保了在极端条件下的稳定性。
  此外,这款MOSFET具备出色的热性能,通过优化的布局设计进一步提高了散热能力,降低了系统运行时的温升风险。

应用

GCQ1555C1H3R2BB01D适用于多种电力电子领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关
  4. 电机驱动电路
  5. 消费类电子产品中的电源管理模块
  6. 便携式设备中的高效功率控制
  其高效的性能和紧凑的设计使其特别适合于移动设备、笔记本电脑适配器以及智能家居设备等领域。

替代型号

GCQ1555C1H3R2BA01D
  GCQ1555C1H3R2BC01D

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GCQ1555C1H3R2BB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.31427卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-