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GCQ1555C1H3R0DB01D 发布时间 时间:2025/6/3 13:44:37 查看 阅读:4

GCQ1555C1H3R0DB01D是一款高性能的射频功率放大器芯片,专为无线通信和射频应用设计。该芯片采用了先进的半导体工艺技术,具有高增益、低噪声和高线性度的特点,能够满足现代通信系统对信号质量和效率的严格要求。
  此芯片广泛应用于蜂窝基站、无线接入点和其他射频设备中,支持多种频率范围和工作模式。其紧凑的设计和高效的性能使其成为射频功率放大的理想选择。

参数

型号:GCQ1555C1H3R0DB01D
  类型:射频功率放大器
  工作频率:2.4GHz - 6GHz
  增益:25dB
  输出功率:40W
  效率:60%
  噪声系数:2.5dB
  电源电压:12V
  封装形式:DB01D
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GCQ1555C1H3R0DB01D采用创新的电路设计,能够在宽频率范围内提供稳定的功率输出和增益表现。它具有出色的线性度,能够有效减少信号失真,提高通信质量。
  此外,这款芯片内置了保护电路,包括过温保护和过流保护功能,从而提升了产品的可靠性和使用寿命。在功耗方面,该芯片通过优化的偏置控制实现了高效的能量转换,减少了热量产生。
  它的封装形式紧凑,便于集成到各类射频模块和系统中,同时支持表面贴装技术(SMT),简化了生产流程并提高了装配效率。
  总之,GCQ1555C1H3R0DB01D以其卓越的性能和可靠性成为射频功率放大领域的重要解决方案之一。

应用

该芯片适用于多种无线通信场景,例如:
  1. 蜂窝基站中的射频信号放大
  2. 点对点微波链路的功率提升
  3. 无线宽带接入设备的信号增强
  4. 雷达系统的发射端功率放大
  5. 卫星通信地面站的信号处理
  凭借其高频段覆盖和大功率输出能力,GCQ1555C1H3R0DB01D能够适应多种复杂环境下的应用需求。

替代型号

GCQ1555C1H3R0DB02D, GCQ1555C1H3R0DB03D

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GCQ1555C1H3R0DB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.18949卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-