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GCQ1555C1H2R8DB01D 发布时间 时间:2025/7/5 2:30:45 查看 阅读:1

GCQ1555C1H2R8DB01D 是一款高性能的射频功率放大器芯片,专为无线通信应用设计。该芯片采用了先进的 GaN(氮化镓)工艺技术,具有高效率、高增益和宽带宽的特点。其出色的线性度和稳定性使其成为基站、雷达和其他射频系统的理想选择。
  这款芯片在设计上注重散热性能和可靠性,能够承受较高的输出功率,并且支持多种调制模式。它通常以表贴封装形式提供,方便集成到复杂的射频电路中。

参数

类型:射频功率放大器
  工艺:GaN(氮化镓)
  频率范围:0.7 GHz 至 3.0 GHz
  增益:15 dB
  输出功率(P1dB):55 W
  效率:65%(典型值)
  电源电压:28 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:DB01D

特性

GCQ1555C1H2R8DB01D 的主要特点是采用氮化镓技术,这使得它能够实现更高的功率密度和效率。与传统的 LDMOS 工艺相比,GaN 技术能够在高频段提供更优异的性能。
  此外,该芯片具备高线性度,可减少信号失真并提高系统容量。它还集成了匹配网络和保护电路,简化了设计流程并增强了系统的稳定性。
  由于其宽泛的工作频率范围和灵活的调制支持能力,这款芯片非常适合应用于现代通信系统中,包括 4G LTE 和即将到来的 5G 网络基础设施。同时,其紧凑的封装也使它更容易嵌入空间受限的设备中。

应用

GCQ1555C1H2R8DB01D 广泛应用于各类射频功率放大的场景,特别是在需要高功率和高效率的情况下。典型的应用领域包括:
  1. 基站发射机:适用于多载波 GSM、WCDMA、LTE 等无线通信系统。
  2. 雷达系统:用于气象雷达、空中交通管制雷达以及其他军事或民用雷达。
  3. 无线回传链路:支持微波点对点通信。
  4. 测试设备:如信号发生器和功率放大测试平台。
  5. 其他工业用途:例如广播系统和卫星通信地面站等。
  凭借其卓越的性能,GCQ1555C1H2R8DB01D 在这些领域中表现出色,满足严格的性能要求。

替代型号

GCQ1555C1H2R8DB02D, GCQ1555C1H3R8DB01D

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GCQ1555C1H2R8DB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.18949卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-