时间：2025/6/22 10:38:20
阅读：21
GCQ1555C1H1R3BB01J 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够有效减少功率损耗并提升系统性能。
此型号属于增强型N沟道MOSFET系列，其设计优化了动态和静态特性，适用于要求高可靠性和高效能的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：98A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：65nC
输入电容：2400pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：DirectFET
1. 极低的导通电阻，可显著降低功耗，提高整体效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用环境。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 优异的热性能，确保在高温条件下稳定运行。
5. 小尺寸封装，节省PCB空间，同时提供高效的散热路径。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，支持无铅焊接工艺。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC转换器中的功率开关。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统中的保护电路。
6. 汽车电子系统中的高边或低边开关应用。
IRF3710, FDP16N30, Si7860DP
