时间：2025/6/10 10:11:50
阅读：27
GCQ1555C1H1R2CB01D是一款高性能的射频功率晶体管，专为无线通信和射频应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，能够提供高增益、高效率和宽频带特性，适用于基站、中继器和其他射频功率放大器场景。
型号：GCQ1555C1H1R2CB01D
类型：射频功率晶体管
封装形式：陶瓷气密封装
工作频率范围：800 MHz 至 2700 MHz
输出功率：30 W（典型值）
增益：14 dB（典型值）
效率：60%（典型值）
最大集电极电流：6 A
电源电压：28 V
插入损耗：≤ 1.5 dB
存储温度范围：-55 ℃ 至 +125 ℃
工作温度范围：-40 ℃ 至 +85 ℃
GCQ1555C1H1R2CB01D具有优异的射频性能，包括高线性度和低失真特性，这使其非常适合于需要高质量信号传输的应用。此外，其宽带操作能力简化了系统设计，并且在多种频段下表现出色。
该晶体管还具备良好的热稳定性和可靠性，能够长时间在高功率水平下运行而不降低性能。陶瓷气密封装进一步提高了器件的耐用性和抗环境干扰能力，适合在恶劣条件下使用。
为了便于集成到现有的射频系统中，该器件支持标准的偏置条件和匹配网络配置，从而减少了设计复杂度并加快了产品上市时间。
GCQ1555C1H1R2CB01D广泛应用于各种射频功率放大器场景，包括但不限于：
1. 无线通信基站中的发射机功率放大器模块。
2. 中继器和直放站设备中的功率放大组件。
3. 工业、科学和医疗（ISM）频段相关设备的射频输出级。
4. 测试与测量仪器中的高功率信号源。
5. 军用或航空电子系统的射频前端部分。
由于其高效率和宽带操作能力，这款晶体管也可以用于新兴技术领域，如5G基础设施建设和物联网（IoT）设备中的射频功能实现。
GCQ1555C1H1R2CB02D, GCQ1555C1H1R2CB03E
