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GCQ1555C1H1R2BB01D 发布时间 时间:2025/7/5 2:34:42 查看 阅读:10

GCQ1555C1H1R2BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT)应用。

参数

型号:GCQ1555C1H1R2BB01D
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):48A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
  总栅极电荷(Qg):75nC
  输入电容(Ciss):3950pF
  输出电容(Coss):95pF
  反向传输电容(Crss):75pF
  工作温度范围:-55°C to +175°C

特性

GCQ1555C1H1R2BB01D具备卓越的电气性能和可靠性,主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on) = 1.2mΩ),能够显著降低功耗并提升效率。
  2. 高额定电流(Id = 48A),适用于大电流应用场合。
  3. 快速开关能力,总栅极电荷低至75nC,有助于减少开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  5. 封装形式为TO-263(D2PAK),便于自动化生产和高效散热。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款MOSFET芯片非常适合以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
  4. 工业设备中的功率转换模块。
  5. 高效DC-DC转换器设计中的关键组件。
  由于其出色的性能,GCQ1555C1H1R2BB01D在各种需要高效率、低损耗和稳定性的电力电子应用中表现优异。

替代型号

IRF540N, FDP5580, AO3400

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GCQ1555C1H1R2BB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.31427卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-