GCQ1555C1H1R2BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT)应用。
型号:GCQ1555C1H1R2BB01D
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):48A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
总栅极电荷(Qg):75nC
输入电容(Ciss):3950pF
输出电容(Coss):95pF
反向传输电容(Crss):75pF
工作温度范围:-55°C to +175°C
GCQ1555C1H1R2BB01D具备卓越的电气性能和可靠性,主要特点包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on) = 1.2mΩ),能够显著降低功耗并提升效率。
2. 高额定电流(Id = 48A),适用于大电流应用场合。
3. 快速开关能力,总栅极电荷低至75nC,有助于减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 封装形式为TO-263(D2PAK),便于自动化生产和高效散热。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
这款MOSFET芯片非常适合以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
4. 工业设备中的功率转换模块。
5. 高效DC-DC转换器设计中的关键组件。
由于其出色的性能,GCQ1555C1H1R2BB01D在各种需要高效率、低损耗和稳定性的电力电子应用中表现优异。
IRF540N, FDP5580, AO3400