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GCQ1555C1H190JB01D 发布时间 时间:2025/5/23 18:30:40 查看 阅读:11

GCQ1555C1H190JB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率应用领域。该器件采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功率损耗并提高系统整体效率。

参数

型号:GCQ1555C1H190JB01D
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
  总栅极电荷(Qg):37nC
  输入电容(Ciss):3350pF
  输出电容(Coss):330pF
  反向恢复时间(trr):85ns
  工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

GCQ1555C1H190JB01D具备卓越的电气性能和可靠性。
  1. 极低的导通电阻(1.8mΩ),可有效减少导通损耗,适用于大电流应用场景。
  2. 快速开关能力,适合高频操作环境,有助于缩小磁性元件体积。
  3. 高雪崩耐量设计,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 优化的热阻结构,确保长时间稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于紧凑型产品设计。
  7. 提供完善的静电防护措施,提高了产品的耐用性和抗干扰能力。

应用

该芯片广泛应用于各类电力电子设备中,具体包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等,提供高效能的功率转换。
  2. 电机驱动电路,用于电动车、家用电器中的直流无刷电机控制。
  3. DC-DC转换器,例如车载逆变器、工业自动化设备中的电压调节模块。
  4. 太阳能微逆变器及储能系统的功率管理单元。
  5. 通信电源系统中的同步整流和负载切换。
  6. 其他需要高效率、大电流处理能力的电子装置。

替代型号

GCQ1555C1H190JB02D, IRF3205, FDP55N06L

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GCQ1555C1H190JB01D参数

  • 现有数量11,507现货
  • 价格1 : ¥1.51000剪切带(CT)10,000 : ¥0.26393卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容19 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-