时间：2025/6/13 12:28:31
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GCM2195C1H123GA16D 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用增强型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET) 技术，提供低导通电阻和快速开关性能。其封装形式为行业标准的表面贴装类型，适用于工业、通信以及消费类电源转换系统。
相比传统硅基 MOSFET，GCM2195C1H123GA16D 提供了更低的栅极电荷和输出电容，有助于实现更小体积和更高频率的设计方案。
型号：GCM2195C1H123GA16D
类型：GaN 增强型场效应晶体管
最大漏源电压（Vds）：600V
最大连续漏电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：120mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.5V 至 3V
总栅极电荷（Qg）：70nC
输入电容（Ciss）：1500pF
输出电容（Coss）：80pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
GCM2195C1H123GA16D 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（600V），适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（120mΩ），能够显著降低传导损耗。
3. 快速开关能力，得益于低栅极电荷和输出电容，适合高频开关电路。
4. 工作温度范围广（-55℃ 至 +150℃），能够在恶劣环境中保持稳定性能。
5. 表面贴装封装，便于自动化生产与安装。
6. 具备增强型模式（常闭特性），确保更高的安全性和可靠性。
7. 可替代传统硅基 MOSFET，在硬开关和软开关拓扑中表现优异。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. 电动工具及电机驱动中的逆变器模块。
3. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 数据中心及服务器的高效 DC-DC 转换器。
5. 消费电子设备中的快充适配器。
6. 通信基站中的射频前端功率放大电路。
GCM2195C1H123GA16D 的高性能和高频能力使其成为众多现代电力电子应用的理想选择。
GCM2195C1H123FA16D
GCM2195C1H123HA16D
