GCG188R92A273KA01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
其设计主要针对需要高效能与高可靠性的应用环境,适合在中高电压条件下运行的电路系统。此外,GCG188R92A273KA01D 还具有强大的抗电磁干扰能力,确保设备在复杂电磁环境下稳定工作。
类型:MOSFET
封装:TO-247
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:27A
导通电阻:30mΩ
栅极电荷:70nC
总功耗:225W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
存储温度范围:-65℃ 至 +175℃
GCG188R92A273KA01D 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 设计,能够显著降低功率损耗并提高整体效率。
2. 高耐压能力 (高达 650V),适用于多种高压应用场景。
3. 快速开关性能,减少开关损耗,提升高频下的工作效率。
4. 强大的热管理能力,优化了散热设计以支持长时间高负载运行。
5. 高可靠性,在极端温度条件下依然保持稳定的性能表现。
6. 具备良好的 EMI 性能,减少了对其他电子元件的干扰。
7. 符合 RoHS 标准,绿色环保,适合现代工业需求。
这款功率 MOSFET 被广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器的核心功率转换模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
6. UPS 不间断电源和其他备用电源系统。
7. 各种大功率 DC-DC 转换器。
GCG188R92A273HA01D, IRFP260N, STP30NF65