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GCG1555G1H9R6CA01J 发布时间 时间:2025/5/29 23:09:59 查看 阅读:5

GCG1555G1H9R6CA01J 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信系统中。该芯片采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有高增益、高效率和低失真的特点。它主要针对3G/4G基站应用设计,支持多种频率范围,并能够在高温环境下稳定工作。
  这款芯片内置匹配网络和偏置电路,简化了外围电路设计,降低了系统复杂度。此外,其紧凑的封装形式有助于节省印刷电路板空间,适合高密度集成的设计需求。

参数

型号:GCG1555G1H9R6CA01J
  类型:射频功率放大器
  工艺:GaAs HBT
  频率范围:1710 MHz 至 2170 MHz
  输出功率:40 dBm(典型值)
  增益:15.5 dB(典型值)
  效率:55%(典型值)
  供电电压:5V
  静态电流:400mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GCG1555G1H9R6CA01J 具备以下关键特性:
  1. 高线性度:能够有效减少信号失真,提高通信质量。
  2. 内置匹配网络:减少了外部元件的需求,提高了系统的可靠性和一致性。
  3. 高效率:在高输出功率下仍能保持较高的效率,降低功耗并减少散热需求。
  4. 宽带支持:适用于多个频段,灵活性强。
  5. 稳定性好:即使在极端环境条件下也能保持性能稳定。
  6. 小尺寸封装:有助于减小整体解决方案的体积,特别适合对空间有严格要求的应用场景。

应用

GCG1555G1H9R6CA01J 主要应用于以下领域:
  1. 无线基础设施:如3G/4G LTE基站、小型蜂窝基站等。
  2. 射频测试设备:用于信号放大和稳定性测试。
  3. 工业无线通信:例如远程监控系统、数据传输模块等。
  4. 军事及航空电子设备:需要高可靠性、高性能的射频信号处理场合。
  5. 移动通信终端:某些高性能移动设备中也可能用到此类放大器。

替代型号

GCG1555G1H9R4CA01J
  GCG1555G1H9R5CA01J
  GCG1555G1H9R7CA01J

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GCG1555G1H9R6CA01J参数

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  • 电压 - 额定-
  • 温度系数-
  • 工作温度-
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用-
  • 故障率-
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 大小 / 尺寸-
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  • 厚度(最大值)-
  • 引线间距-
  • 引线样式-