时间：2025/6/22 10:22:13
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GCB188M91H222KE01D 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用 TO-247 封装形式。该器件专为高电压、大电流应用设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电力电子设备中的功率转换和电源管理场景。
该芯片属于 N 沟道增强型场效应晶体管，能够提供卓越的效率和可靠性，同时具备出色的热性能，适合长时间在高负载条件下工作。
类型：N沟道增强型 MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(Vds)：900V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
脉冲漏极电流(Ip)：55A
导通电阻(Rds(on))：220mΩ
总功耗(Ptot)：180W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
栅极电荷(Qg)：39nC
GCB188M91H222KE01D 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：最大漏源电压高达 900V，非常适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻：Rds(on) 在典型条件下仅为 220mΩ，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能：低栅极电荷（39nC）使得器件能够在高频条件下保持高效运行。
4. 高电流承载能力：连续漏极电流可达 18A，满足大多数工业级需求。
5. 良好的热性能：采用 TO-247 封装，可有效散热，确保稳定运行。
6. 宽广的工作温度范围：从 -55°C 到 +175°C 的结温范围使其适应各种恶劣环境。
GCB188M91H222KE01D 广泛应用于需要高电压和大电流处理能力的领域，包括但不限于：
1. 工业电机驱动与控制。
2. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的功率模块。
5. 不间断电源 (UPS) 系统。
6. 照明镇流器及各类工业设备中的功率调节电路。
GCB188M91H222KE01B, IRFP460, STW120N100K5
