时间：2025/5/23 5:12:03
阅读：7
GBLC15I-LF-T7是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，专为高频、高效率的应用场景设计。该型号采用表面贴装封装形式（LF系列），适合在紧凑型电路板上使用。其主要应用领域包括快充适配器、无线充电设备、LED驱动电源以及DC-DC转换器等。该芯片通过优化的栅极驱动技术和低导通电阻特性，显著提升了系统能效和热性能。
GBLC15I-LF-T7具有较高的击穿电压和快速开关能力，同时内置多重保护机制以确保可靠运行。此外，它支持高频工作，从而允许使用更小的磁性元件，进一步缩小整体方案尺寸。
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
导通电阻：120mΩ（典型值）
栅极电荷：40nC（典型值）
反向恢复电荷：无（由于GaN材料特性）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LF系列表面贴装
1. 基于氮化镓技术，具备卓越的高频特性和低导通损耗。
2. 内置保护功能，包括过流保护、过温保护和短路保护。
3. 低栅极电荷和输出电荷，有助于降低开关损耗。
4. 高击穿电压设计，确保在高压环境下的稳定运行。
5. 表面贴装封装，简化了自动化生产和焊接工艺。
6. 支持宽禁带半导体的工作频率，满足现代电力电子对小型化和高效率的要求。
1. USB-PD快充适配器
2. 无线充电发射端与接收端模块
3. 开关电源（SMPS）中的PFC级或LLC谐振变换器
4. 工业设备中的DC-DC转换器
5. LED照明驱动电路
6. 消费类电子产品的小型化电源解决方案
GBLC15I-HF-T7
GBLC15I-SF-T7
