GB7NB60是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高电流应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等。这款MOSFET的额定电压为600V,能够承受较大的工作电压范围,适用于各种高功率需求的电子系统。GB7NB60采用了先进的Power MOSFET技术,确保了在高温和高负载条件下依然保持稳定的工作性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id)@25°C:7A
栅源电压(Vgs):±30V
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
功耗(Ptot):40W
漏源击穿电压(BVDSS):600V
漏极电流(Id)@100°C:4.6A
GB7NB60 MOSFET具有多项优异的电气和物理特性。首先,其高耐压能力(600V)使其适用于高压应用,如电源转换器和电机控制电路。其次,该器件的导通电阻较低(最大为1.2Ω),这有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,GB7NB60能够在较高的温度条件下稳定运行,其工作温度范围覆盖-55°C至150°C,适用于严苛的工业环境。
该MOSFET的封装形式为TO-220,这种封装具有良好的散热性能,便于安装和使用。同时,其±30V的栅源电压允许更宽的驱动电压范围,增强了其在不同应用场景中的适应性。GB7NB60还具备快速开关特性,能够有效减少开关损耗,适用于高频开关应用。
另外,GB7NB60在设计上优化了抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下保持器件的可靠性。这使其在电源管理、逆变器、不间断电源(UPS)等系统中表现出色。由于其优异的性能指标,GB7NB60广泛用于各种电力电子设备中,满足高可靠性和高效能的需求。
GB7NB60 MOSFET主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统。例如,在开关电源(SMPS)中,GB7NB60可用于功率转换和稳压控制,提供高效能的电源管理方案。在DC-DC转换器中,该器件可用于升压或降压操作,实现不同电压等级之间的高效能量传输。此外,在电机控制电路中,GB7NB60可以作为功率开关,用于控制电机的转速和方向。
该MOSFET还适用于电池管理系统(BMS),尤其是在高电压电池组中,用于充放电控制和保护。在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,GB7NB60可以作为主开关器件,实现交流电源的逆变和稳定输出。此外,该器件也可用于工业自动化设备、电源适配器、LED照明驱动器等应用领域。
由于其良好的热稳定性和高耐压能力,GB7NB60在各种恶劣工作环境下也能保持稳定运行,因此被广泛应用于工业控制、汽车电子、消费电子和能源管理系统等领域。
STP7NK60Z, FQA7N60C, IRFBC40